"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе
Ковалев А.Н.1, Маняхин Ф.И.1, Кудряшов В.Е.2, Туркин А.Н.2, Юнович А.Э.2
1Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Исследованы изменения спектров люминесценции и электрических свойств светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN в процессе длительной работы. Изучались голубые и зеленые светодиоды с одиночными квантовыми ямами InGaN в течение 102/ 2· 103 ч при токах до 80 мА. Обнаружено увеличение интенсивности люминесценции при рабочих токах (15 мА) на 1-й стадии старения (100/ 800 ч) и медленное падение --- на 2-й. Наибольшие изменения спектров наблюдались при малых токах (<0.15 мА). Исследования распределения заряженных акцепторов в области пространственного заряда показали, что на 1-й стадии их концентрация растет, а на 2-й падает. Предложены модели, объясняющие две стадии старения: 1) активация акцепторов Mg вследствие разрушения остаточных комплексов Mg--H и 2) образование донорных вакансий N. Обсуждается модель подпорогового образования дефектов горячими электронами, инжектированными в квантовые ямы.1
  • A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. Proc. 2nd Int. Conf. Nitride Semicond. (Tokushima, Japan, 1997) paper P1-6, p. 46
  • A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. Abstracts MRS Fall Meeting 1997 (Boston, USA, 1997) abstract N D17.3, p. 130
  • А.Э. Юнович. Светотехника, N 6, 2 (1996)
  • F.A. Ponce, D.P. Bour. Nature, 386, 351 (1997)
  • M. Osinski, P. Perlin, P.G. Eliseev, G. Liu, D. Burton. MRS Symp. Proc., 449, 179 (1997)
  • T. Egawa, H. Ishikava, T. Jimbo, M. Umeno. MRS Symp. Proc., 449, 1191 (1997)
  • S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Japan. J. Appl. Phys., 34, pt. 2, N 10b, L1332 (1995)
  • K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. MRS Int. J. Nitride Semicond. Res., 1/11 (1996)
  • К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1055 (1997).
  • A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A.N. Turkin, K.G. Zolina. MRS Symp. Proc., 449, 1167 (1997).
  • В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1304 (1997)
  • F.I. Manyakhin, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. MRS Int. J. Nitride Semicond. Res., 2/11 (1997)
  • Н.Н. Горюнов, Ф.И. Маняхин, Р.Ю. Осипов. Информ. технол. проект., N 2, 51 (1997)
  • H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. Japan. J. Appl. Phys., 28, L2112 (1989)
  • S. Nakamura, T.Mukai, M. Senoch. J. Appl. Phys., 76, 8189 (1994)
  • C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy et al. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2523 (1996)
  • J. Leitner, J. Steikal, P. Vonka. Mater. Lett., 28, 197 (1996)
  • Ф.И. Маняхин. Изв. вузов, сер. Матер. электрон. техн., N 1, 63 (1997)
  • C.G. Van De Walle, C. Stampfl, J. Neugebauer. Proc. 2nd Int. Conf. Nitride Semicond. (Tokushima, Japan, 1997) W1--1, p. 386
  • В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)
  • В.С. Вавилов. УФН, 167, 4, 407 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.