"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl : HF : C2H5OH
Белогорохов А.И.1, Белогорохова Л.И.2
1Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Исследовались свойства образцов пористого кремния, проявляющих интенсивную фотолюминесценцию, не деградирующих со временем, а также под действием интенсивного лазерного излучения. Образцы были изготовлены с добавлением в обычный фтористо-водородный электролит соляной кислоты. Пик фотолюминесценции от полученных слоев пористого кремния располагался при энергиях 1.85-1.9 эВ. Сигнал фотолюминесценции от образцов, изготовленных на тех же исходных подложках по стандартной методике, без HCl в составе электролита, имел на 2 порядка меньшую интенсивность. Исследовалась деградация образцов пористого кремния со временем и под действием лазерного излучения различной мощности. Для образцов пористого кремния, полученных с максимальным содержанием HCl в составе электролита, сигнал фотолюминесценции не деградировал под действием лазерного излучения. В работе также исследовались инфракрасные спектры образцов с целью контроля химического состояния их поверхности. Получено, что резкое, в 100 раз, увеличение интенсивности сигнала фотолюминесценции от образцов, изготовленных по предложенной методике, может быть связано как с особенностями структурного строения слоев пористого кремния, так и с наличием тонкого совершенного слоя SiO2 на поверхности нанокристаллитов.
  • L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  • S. Sawada, N. Hamada, N. Ookubo. Phys. Rev. B, 49, 5236 (1994)
  • A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  • J.L. Gole, F.P. Dudel, D. Grantier, D.A. Dixon. Phys. Rev. B, 56, 2137 (1997)
  • Qi. Zhang, S.C. Bayliss. J. Appl. Phys., 79, 1351 (1996)
  • H.D. Fuchs, M. Stutzmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breitschwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 48, 8172 (1993)
  • F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Kux, F. Muller, V. Gavrilenko, F. Moller. In: Proc. 21st Int. Conf. on the Phys. of Semicond. (World Scientific, Singapore, 1993)
  • S. Banerjee. Phys. Rev. B, 51, 11 180 (1995)
  • К.Н. Ельцов, В.А. Караванский, В.В. Мартынов. Письма ЖЭТФ, 63, 106 (1996)
  • R. Guerrero-Lemus, J.D. Moreno, J.M. Martinez-Duart, M.L. Marcos, J. Gonzales-Velasco, P. Gomez. J. Appl. Phys., 79, 3224 (1996)
  • K.H. Li, C. Tsai, J. Sarathy, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 62, 3192 (1993)
  • А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, В.А. Караванский, А.Н. Образцов. ФТП, 28, 1424 (1994)
  • T.Ya. Gorbach, G.Yu. Rudko, P.S. Smertenko, S.V. Svechnikov, M.Ya. Valakh, V.P. Bondarenko, A.M. Dorofeev. Semicond. Sci. Technol., 11, 601 (1996)
  • А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, Л.И. Белогорохова. ФТП, 30, 1177 (1996)
  • Y.M. Weng, Z.N. Fan, X.F. Zong. Appl. Phys. Lett., 63, 168 (1993)
  • D.W. Zheng, Y.P. Huang, Z.J. He, A.Z. Li, T.A. Tang, R. Kwor, Q. Cui, X.J. Zhang. J. Appl. Phys., 81, 492 (1997)
  • M.A. Butturi, M.C. Carotta, G. Martinelli, L. Passari, G.M. Youssef, A. Chiorino, G. Ghiotti. Sol. St. Commun., 101, 11 (1997)
  • N. Rigakis, J. Hilliard, L. Abu Hassan, J.M. Hetrick, D. Andsager, M.H. Nayfeh. J. Appl. Phys., 81, 440 (1997)
  • H. Koyama, N. Shima, N. Koshida. Phys. Rev. B, 53, R13291 (1996)
  • Н.С. Аверкиев, В.М. Аснин, И.И. Марков, А.Ю. Силов, В.И. Степанов, А.Б. Чурилов, Н.Е. Мокроусов. Письма ЖЭТФ, 55, 631 (1992)
  • C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo.Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993)
  • T. Takagahara, K. Takeda. Phys. Rev. B, 46, 15 578 (1992)
  • A.I. Belogorokhov, R. Enderlein, A. Tabata, J.R. Leite, V.A. Karavanskii, L.I. Belogorokhova. Phys. Rev. B, 56, 10 276 (1997)
  • A. Venkateswara Rao, F. Ozanam, J.-N. Chazalviel. J. Electrochem. Soc., 138, 153 (1991)
  • D.V. Tsu, G. Lucovsky, B.N. Davidson. Phys. Rev. B, 40, 1795 (1989)
  • A.C. Dillon, M.B. Robinson, S.M. George. Surf. Sci. Lett., 295, L998 (1993)
  • W. Kaiser, P.H. Keck, C.F. Lange. Phys. Rev., 101, 1264 (1956)
  • J.E. Olsen, F. Shimura. J. Appl. Phys., 66, 1353 (1989)
  • S.M. Hu. J. Appl. Phys., 51, 5945 (1980)
  • C.T. Kirk. Phys. Rev. B, 38, 1255 (1988)
  • D. Graf, M. Grundner, R. Schilz. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 808 (1989)
  • G. Lukovsky, J. Yang, S.S. Chao, J.E. Tyler, W. Czubatyj. Phys. Rev. B, 28, 3225 (1983)
  • H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, X. Wang. J. Appl. Phys., 79, 3282 (1996)
  • E. Ribeiro, F. Cerdeira, O. Teschke. Sol. St. Commun., 101, 327 (1997)
  • П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, С.А. Петрова, В.Ю. Тимошенко, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 745 (1997)
  • S.A. Gavrilov, I.N. Sorokin, V.A. Karavanskii, M.O. Bashkin, A.Yu. Trifonov. Mater. 10 Int. Conf. on Thin Films (Spain, Salamanca, 1996) p. 85
  • H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, X. Wang. J. Appl. Phys., 79, 3282 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.