"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Емкостная спектроскопия глубоких состояний в InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками
Соболев М.М.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Мусихин Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Сообщается о результатах исследования структуры, содержащей один массив квантовых точек InAs в матрице GaAs, методами вольт-фарадной спектроскопии и нестационарной спектроскопии глубоких уровней, фотолюминесценции, а также просвечивающей электронной микроскопии. Было обнаружено присутствие в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре, кластера взаимодействующих бистабильных дефектов. Обнаружен эффект контролируемой и обратимой метастабильной заселенности энергетических состояний квантовой точки и моноэнергетического поверхностного состояния, зависящей от температуры и условий изохронного отжига. Он связывается с присутствием бистабильных ловушек с самозахватом (self--trapped) дырок. С помощью измерений методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней обнаружено изменение термоионизационной энергии эмиссии дырок с поверхностных состояний гетерограницы InAs/GaAs и смачивающего слоя при увеличении напряжения обратного смещения. Было сделано предположение, что эти изменения обусловлены встроенным электростатическим полем диполя, который может образоваться как дырками смачивающего слоя, с одной стороны, так и ионизованными уровнями, расположенными вблизи с гетерограницей.
  • Y. Arakawa, A. Yariv. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1887 (1986)
  • V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsulnikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kopev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele. Cryst. Growth, 175/176, 689 (1997)
  • S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, V.I. Kopchatov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, P.S. Kopev, A.O. Kosogov, Zh.I. Alferov. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 4219 (1997)
  • D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  • T.Matsumoto, Y. Ito, T. Ishida. Jpn. J. Appl. Phys., L541 (1989)
  • K.L. Jiao, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 73, 271 (1993)
  • K. Schmalz, I.N. Yassievich, H. Rucker, H.G. Grimmeiss, H. Frankenfeld, H.J. Osten, P. Schley, H.P. Zeindl. Phys. Rev. B, 50, 14 287 (1994)
  • S.Anand, N. Carlsson, M-E Pistol, L. Samuelson, W. Seifert. Appl. Phys. Lett., 67, 3016 (1995)
  • M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov. Proc. 19th Int. Conf. on Defects in Semicond, (July 21--25, 1997, Aveiro, Portugal), [Mater. Sci. Forum, 258--263, pt. 3, 1619 (1997)].
  • М.М. Соболев, Ф.В. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю.Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
  • P.N. Brunkov, S.G. Konnikov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, M.V. Maksimov, N.N. Ledentsov, P.S. Kopev. Semiconductors, 30, 492 (1996)
  • Р.А. Сурис. В сб.: Материалы седьмой зимней школы по физике полупроводников (Л., 1975) с. 245
  • M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kopev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 979 (1996)
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  • П.Н. Брунков, С.Г. Конников, М.И. Папенцев, М.М. Соболев, М.Н. Степанова. ФТП, 23, 1689 (1989)
  • М.М. Соболев, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев. ФТП, 28, 663 (1994)
  • M.M. Sobolev, I.V. Kochnev, M.I. Papentsev, V.S. Kalinovsky. Semicond. Sci. Technol., 11, 1692 (1996)
  • Sh. Makram-Ebeid, P. Boher. Rev. Phys. Appl., 23, 847 (1988)
  • P.N. Brunkov, V.S. Kalinovsky, V.G. Nikitin, M.M. Sobolev. Semicond. Sci. Technol., 7, 1237 (1992)
  • П.Н. Брунков, В.С. Калиновский, С.Г. Конников, М.М. Соболев, О.В. Сулима. ФТП, 24, 1320 (1990)
  • A.Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
  • P.J. Mooney. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
  • D. Steivenard, J.C. Bourgoin, D. Pons. Phys. Rev. B, 34, 4048 (1986)
  • П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25, 338 (1991)
  • F. Capasso, F. Beltram. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 104, 47 (1988)
  • G. Muller, A. Zrenner, F. Koch, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 55, 1564 (1989)
  • Ph. Won Yu, W.C. Mitchel, M.G. Mier, S.S. Li, W.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 41, 532 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.