"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния О б з о р
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Анализируются полученные к настоящему времени результаты по исследованию параметров глубоких центров в 6H- 4H- и 3C-SiC. Приведены данные по энергиям ионизации и сечениям захвата центров как образующихся при легировании SiC различными типами примеси или в процессе облучения, так и собственных дефектов. Рассмотрено участие обнаруженных центров в процессах излучательной и безызлучательной рекомбинации. Проведенный анализ литературных источников показывает значительное влияние, которое собственные дефекты кристаллической решетки SiC оказывают как на формирование глубоких центров, так и на свойства самих эпитаксиальных слоев --- уровень их легирования и политипную однородность.
  • E.G. Acheson. Chem. News, 68, 179 (1893)
  • G. Pensl, R. Helbig. In: Advances in Solid State Physics, ed. by V. Rossler (Viemeg, Braunschweig, 1990)
  • N.J. Round. Electrical World, 30, 309 (1907)
  • О.В. Лосев. ЖТФ, 1, 718 (1931)
  • J.A. Lely. Ber. Dt. Keram. Ges., 32, 229 (1955)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.O. Roenkov. Krist and Tecnik., 14, 729 (1979)
  • Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978)
  • Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1980) с. 122
  • S. Nishino, J. Powell, N.A. Will. Appl. Phys. Lett., 42, 460 (1983)
  • H.S. Kong, J.T. Glass, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett., 64, 2672 (1988)
  • J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter. Physica B, 185, 453 (1993)
  • J.W. Palmer, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter. Physica B, 185, 461 (1993)
  • B.M. Brown, M. Chezzo, J. Kretchmen, V. Krishmuthy, G. Michon. Transactions Second Int. High Temp. Electron. Conf. (Sharlotte, NC, USA, 1994) V. 1. p. XI--17
  • А. Верма, П. Кришна. Политипизм и полиморфизм в кристаллах (М., Мир, 1969) с. 390
  • L.S. Ramsdell. Amer. Mineral, 32, 64 (1947)
  • L. Patric. Phys. Rev., 127, 1878 (1962)
  • R.G. Humphreys, D. Bimberg, W.J. Choyke. Sol. St. Commun., 39, 163 (1981)
  • Г.Б. Дубровский. ФТТ, 13, 2505 (1971)
  • G.B. Dubrovskii, A.A. Lepeneva, E.I. Radovanova. Phys. St. Sol. (b), 57, 423 (1973)
  • E. Bindermann. Sol. St. Commun., 3, 343 (1965)
  • Г.Б. Дубровский, Е.И. Радованова. ФТТ, 11, 680 (1969)
  • W.R.L. Lambrecht, S. Limpijumuong, B. Segall. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 263 (1996)
  • W.R.L. Lambrecht, S.N. Rachkeev. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stoсkholm, Sweden, 1997) p. 263
  • Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  • M.V. Rao, J. Gardner, O.W. Holland, G. Kelner, M. Chezzo, D.S. Simons, P.H. Chi. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 521 (1996)
  • H.H. Woodbery, G.W. Ludwig. Phys. Rev., 124, 1083 (1961)
  • I. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, 22, 2842 (1980)
  • А.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. Письма ЖТФ, 11, 1018 (1985)
  • W. Suttrop, G. Pensl, W.J. Choyke, R. Steine, S. Leibenzeder. J. Appl. Phys., 72, 3708 (1992)
  • W. Gotz, A. Schoner, G. Pensl, W. Suttrop, W.J. Choyke, R. Steine, S. Leibenzeder. J. Appl. Phys., 73, 3332 (1993)
  • A.O. Euwarage, S.R. Smith, W.C. Mitchel. J. Appl. Phys., 79, 7726 (1996)
  • Th. Troffer, W. Gotz, A. Schoner, G. Pensl, R.P. Devaty, W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 173 (1994)
  • A.E. Nikolaev, I.P. Nikitina, V.A. Dmitriev. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 125 (1996)
  • В.С. Вайнер, В.А. Ильин, В.А. Карачинов, Ю.М. Таиров. ФТТ, 28, 363 (1986)
  • Ю.А. Водаков, Е.Н. Калабухова, С.Н. Лукин, А.А. Лепнева, Е.Н. Мохов, Б.Д. Шанина. ФТТ, 20, 448 (1978)
  • P.J. Dean, R.L. Hartman. Phys. Rev. B, 5, 4911 (1972)
  • Van H. Daal, W.F. Knippenberg, J.D. Wassher. J. Phys. Chem. Sol., 24, 109 (1963)
  • Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 12, 2918 (1970)
  • И.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 11, 969 (1977)
  • Е.Н. Мохов, М.М. Усманов, Г.Ф. Юлдашев, Б.С. Махмудов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 20, 1383 (1984)
  • A. Schoner, N. Nordell, K. Rottner, R. Helbig, G. Pensl. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 493 (1996)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП, 14, 486 (1980)
  • М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 457 (1994)
  • П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, А.В. Суворов. ФТП, 19, 1430 (1985)
  • N.I. Kuznetsov, A.S. Zubrilov. Mater. Sci. Eng. B, 29, 181 (1995)
  • V. Heera, J. Pezold, X. Ning, P. Pirouz. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 509 (1996)
  • L.L. Clemen, R.P. Devaty, W.J. Choyke, J.A. Powel, D.J. Larkin, J.A. Edmond, A.A. Burk. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 297 (1994)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  • A.N. Andreev, M.M. Anikin, A.A. Lebedev, N.K. Poletaev, A.M. Strel'chuk, A.L. Surkin, V.E. Chelnokov. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 271 (1994).
  • А.И. Вейнгер, Ю.А. Водаков, Ю. Кулев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.И. Соколов. Письма ЖТФ, 6, 1319 (1980)
  • V.S. Balandovich, E.N. Mokhov. Transactions Second Int. High Temp. Electron. Conf. (Charlotte NC, 5--10 USA, 1994) v. 2, p. 181
  • Е.Э. Виолин, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 8, 3395 (1966)
  • S. Ortolland, C. Raynaunld, J.P. Chante, M.L. Locatelli, A.N. Andreev, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, N.S. Savkina, V.E. Chelnokov. J. Appl. Phys., 80, 5464 (1996)
  • А.А. Лебедев, А.Н. Андреев, А.А. Мальцев, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1635 (1995)
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 114 (1985)
  • W. Suttrop, G. Pensl, P. Laning. Appl. Phys. A, 51, 231 (1991)
  • M.M. Anikin, A.A. Lebedev, N.K. Poletaev, A.M. Strel'chuk, A.L. Surkin, V.E. Chelnokov, Inst. Phys. Conf. Ser. 137, Chapter 6, 605 (1994)
  • А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев. ФТП, 30, 427 (1996)
  • А.О. Константинов. ФТП, 25, 1175 (1991)
  • P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 293 (1996)
  • T. Frank, T. Troffer, G. Pensl, N. Nordell, S. Karlson, A. Schoner. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 348
  • S. Jang, T. Kimoto, H. Matsunami. Appl. Phys. Lett., 65, 581 (1994)
  • M.S. Mazzola, S.E. Saddow, P.G. Neudeck, V.K. Lakdawala, S. We. Appl. Phys. Lett., 64, 2730 (1994)
  • Yu.A. Vodakov, G.A. Lomakina, E.N. Mokhov, E.I. Radovanova, V.I. Sokolov, M.M. Usmanova, G.F. Yuldashev, B.S. Makhmudov. Phys. St. Sol. (a), 35, 37 (1976)
  • T. Troffer, G. Pensl, A. Schoner, A. Henry, C. Hallin, O. Kordina, E. Janzen. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 601
  • A. Henry, C. Hallin, I.G. Ivanov, J.P. Bergman, O. Kordina, E. Janzen. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 381 (1996)
  • А.А. Лебедев, М.П. Щеглов, Т.В. Соколова. Письма ЖТФ, 21, 48 (1995)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. ФТТ, 33, 3315 (1991)
  • E.V. Violin, A.A. Kal'nin, V.V. Pasynkov, Yu.M. Tairov, D.A. Yas'kov. Mater. Res. Bull., 4, S231 (1969)
  • Y. Zheng, N. Ramungul, R. Patel, V. Khemka, T.P. Chow. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 71
  • П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ, 38, 1446 (1996)
  • A. Hofstaeffer, B.K. Mayer, A. Scharmann, P.G. Baranov, I.V. Liyn, E.N. Mokhov. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 294
  • M.B. Scott, J.D. Scofield, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 389
  • В.С. Балландович. ФТП, 25, 287 (1991)
  • Х. Вахнер, Ю.М. Таиров. ФТТ, 11, 2440 (1969)
  • Д.П. Литвин, А.А. Мальцев, А.В. Наумов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 13, 1247 (1987)
  • L.Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 10, 5091 (1974)
  • A.W.C. Kemenade, S.H. Hagen. Sol. St. Commun., 14, 1331 (1974)
  • K.M. Lee, Le.Si. Dang, G.B. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 32, 2273 (1985)
  • K. Maier, H.D. Muller, J. Schneider. Mater. Sci. Forum, 83--87, 1183 (1992)
  • K. Maier, J. Schneider, W.Wilkening, S. Leibenzeder, R. Steine. Mater. Sci. Eng. B, 11, 27 (1992)
  • T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A.Schoner, N. Nordel. Phys. St. Sol. (a), 162, 199 (1997)
  • T. Dalibor, G. Pensl, N. Nordel, A. Schoner, W.J. Choyke. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 55
  • J.M. Langer, H. Heinrich. Phys. Rev. Lett., 55, 1414 (1985)
  • H.McD. Hobgood, R.C. Glass, A. Augustine, R.H. Hopkins, J. Jenny, M. Skowronski, W.C. Mitchel, M. Roth. Appl. Phys. Lett., 66, 1364 (1995)
  • W.C. Mitchel, M.D. Roth, A.O. Evwaraye, P.W. Yu, S.R. Smith, J. Jenny, M. Skowronski, H.McD. Hodgood, R.C. Glass, G. Augustine, R.H. Hopkins. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 313 (1996)
  • K.F. Dombrovskii, U. Kaufman, M. Hunzer. Appl. Phys. Lett., 65, 184 (1994)
  • J. Schneider, H.D. Muller, K. Maier, W. Wilkening, F. Fuchs, A. Dornen, S. Leibenzader, S. Steine. Appl. Phys. Lett., 56, 1184 (1990)
  • N. Achtziger, J. Grillenberg, W. Witthuhn. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 597
  • St.G. Muller, D. Hofmann, A. Winnacker, E.N. Mokhov, Yu.A. Bodakov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 361 (1996)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
  • N. Achtziger, W. Witthunh. Mater. Sci. Eng. B, 46, 333 (1997)
  • M. Kuznser, K.F. Dombrovski, F. Fuchs, U. Kaufmann, J. Schneider, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 385 (1996)
  • M. Feege, S. Grenlich-Weber, J.-M. Spaeth. Semicond. Sci. Technol., 8, 1620 (1993)
  • K. Abe, T. Ohsima, H. Iton, Y. Aoki, M. Yoshikawa, I. Nashiyama, M. Iwami. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 354
  • Г.Ф. Холуянов, Ю.А. Водаков, Э.В. Виолин. ФТП, 5, 39 (1971)
  • T. Dalibor, G. Pensl, T. Yamamoto, T. Kimoto, H. Matsunami, S. Sridhara, D.C. Nizher, R.P. Devaty, W.J. Choyke. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 599
  • D. Alok, B.J. Baliga, M. Kothandaraman, P.K. McLarty. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 565 (1996)
  • H. Ennen, J. Schnider, G. Pomrenke, A. Axmann. J. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
  • W.J. Choyke, R.P. Devaty, L.L. Clemen, M. Yoganathan, G. Pensl, Ch. Hassler. Appl. Phys. Lett., 65, 1668 (1994)
  • K. Awahara, M. Kumagai. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 380.
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, Г.П. Шпынев. В сб.: Технология силовых полупроводниковых приборов (Таллин, Валгус, 1987) с. 19
  • Н.И. Кузнецов, А.П. Дмитриев, А.С. Фурман. ФТП, 28, 1010 (1994)
  • A.A. Lebedev. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 67
  • N.I. Kuznetsov, J.A. Edmond. ФТП, 31, 1220 (1997)
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 20, 2169 (1986)
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков. ФТП, 20, 1654 (1986)
  • А.А. Лебедев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ, 1991)
  • A.A. Lebedev, V.E. Chelnokov. Diamond films and Related Mater., 3, 1393 (1994)
  • М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 443 (1994)
  • C.T. Sah, L. Forbes, L.L. Rossier, A.F. Tasch. Sol. St. Electron., 13, 759 (1970)
  • А.Г. Кечек, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев. ФТП, 21, 2228 (1987)
  • E.N. Kolabukova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov, J. Reinke, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 333 (1996)
  • G.C. Rubicki. J. Appl. Phys., 78, 2996 (1995)
  • М.М. Аникин, А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, С.Н. Пятко, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 25, 328 (1991)
  • М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, 25, 479 (1991)
  • M.M. Anikin, A.A. Lebedev, A.L. Syrkin, A.V. Suvorov, A.M. Strel'chuk. Ext. Abstracts Electrochem. Soc. Mtg., 708 (1989)
  • H. Zhang, G. Pensl, A. Dorner, S. Leibenzeder. Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Mtg., 699 (1989)
  • J.P. Doyle, M.O. Adoelfotoh, B.G. Svensson, A. Schoner, N. Nordel. Diamond and Related Mater., 1388 (1997)
  • А.И. Вайнер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, ФТП, 15, 1557 (1981)
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растeгаев, А.М Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)
  • N.T. Son, E. Sorman, W.M. Chen, O. Kordina, B. Monemar, E.Janzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2687 (1994)
  • T. Troffer, Ch. Habler, G. Pensl, K. Holzlein, H. Mitlehner, J. Volki. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 281 (1996)
  • T. Dalibor, G. Pensl, T. Kimoto, H. Matsunami, S. Shidhara, P.P. Devaty, W.J. Choyke. Diamond and Related Mater., 6, 1333 (1997)
  • A.A. Lebedev, A.N. Andreev, M.M. Anikin, M.G. Rastegaeva, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk, A.L. Syrkin, A.S. Tregubova, V.E. Chelnokov. Proc. ISPSD'95 (Yokohama, Japan, 1995) p. 90
  • P. Zhou, M.G. Spencer, G.L. Harris, K. Fekade. Appl. Phys. Lett., 50, 1384 (1987)
  • K. Zakentes, M. Kayiambaki, G. Constantinidis. Appl. Phys., 66, 3015 (1995)
  • V.S. Balandovich, G.N. Violina. Cryst. Latt. Def. and Amorph. Mater., 13, 189 (1987)
  • H. Zhang, G. Pensl, P. Glasow, S. Leibenzeder. Ext. Abstracts Electrochem. Soc. Mtg., 714 (1989)
  • C. Hemmingson, N.T. Son, O. Kordina, E. Janzen, J.L. Lindstrom, S. Savarge, N. Nordel. Mater. Sci. Eng. B, 46, 336 (1997)
  • И.М. Павлов, М.И. Иглицин, М.Г. Косганов, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1279 (1975)
  • А.И. Вейгнер, А.А. Лепенева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.И. Соколов. ФТП, 18, 2014 (1984)
  • V.V. Evstropov, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 589 (1994)
  • M. Okada, T. Kimura, T. Nakata, M. Watanbe, S. Kanazava, I. Kanno, K. Kamitani, K. Atobe, M.N. Nakagawa. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 469 (1996)
  • H. Matsunami, T. Kimoto. Mater. Sci. Eng. R, 20, 125 (1997)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  • Ю. Вахнер, Ю.М. Таиров. ФТТ, 12, 1543 (1970)
  • Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, М.М. Аникин. Письма ЖТФ, 5, 367 (1979)
  • A.A. Maltsev, A.Yu. Maksimov, N.K. Yushin. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 41 (1996)
  • A.A. Maltsev, D.P. Litvin, M.P. Scheglov, I.P. Nikitina. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 137 (1996)
  • P.A. Ivanov, A.A. Maltsev, V.N. Panteleev, T.P. Samsonova, A.Yu. Maksimov, N.K. Yushin, V.E. Chelnokov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 757 (1996)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. ФТТ, 19, 1812 (1977)
  • A.N. Andreev, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng. B, 46, 141 (1997)
  • A.A. Lebedev, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov. Mater. Sci. Eng. B, 46, 168 (1997)
  • А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов. ФТП, 31, 1083 (1997)
  • A.A. Lebedev. Abstracts 19 Int. Conf. Def. in Semicond. (Aveiro, Portugal, 1997) p. 239
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 197 (1994)
  • Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  • G. Zeinther, D. Theeis. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-28, 425 (1981)
  • D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.G. Matus. Appl. Phys. Lett., 65, 1661 (1994)
  • E. Janzen, O. Kordina. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 653 (1996)
  • А.Н. Андреев, Н.Ю. Смирнова, М.П. Щеглов, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, В.Е. Челноков. ФТП, 30, 2060 (1996)
  • L. Hoffman, G. Zeigler, D. Theis, G. Wegnich. J. Appl. Phys., 53, 6962 (1982)
  • В.М. Гусев, К.Д. Демаков, В.М. Ефимов, В.Н. Ионов, М.Г. Косагонова, Н.К. Прокофьев, В.Г. Столярова, Ю.Н. Чекушин. ФТП, 15, 2430 (1981)
  • R.M. Potter. Mater. Res. Bull., 4, S223 (1969)
  • А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1973)
  • М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 24, 1384 (1990)
  • А.Н. Андреев, М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 729 (1994)
  • А.А. Лебедев. ФТП, 30, 999 (1996)
  • В.И. Павличенко, И.В. Рыжиков, Ю.М. Сулейманов, Ю.М. Шайдак. ФТТ, 10, 2801 (1968)
  • S.H. Hagen, A.W.C. Kemanage, van der Does de Bye. J. Luminecs., 8, 18 (1973)
  • A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanaka, J. Electrochem. Soc., 124, 241 (1977)
  • В.И. Соколов. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1979) с. 301
  • W. von Munch, W. Kukzinger. Sol. St. Electron., 21, 1129 (1978)
  • M. Ikeda, T. Haykawa, S. Yamagiva, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979)
  • В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 246 (1985)
  • L. Hoffman, G. Zeidler, D. Theis, G. Wegnich. J. Appl. Phys., 53, 6962 (1982)
  • Б.И. Вишневская, В.А. Дмитриев, И.Д. Коваленко, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, В.С. Родкин, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 664 (1988)
  • А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, М.Г. Растегаева, А.М. Стрельчук. ФТП, 28, 1769 (1994)
  • В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 1602 (1966)
  • В.В. Макаров. ФТТ, 9, 596 (1967)
  • Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 15, 1408 (1981)
  • L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 5, 3253 (1972)
  • В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 3393 (1966)
  • В.В. Макаров. ФТТ, 13, 2357 (1971)
  • В.М. Гусев, К.Д. Демаков, В.М. Ефимов, В.И. Ионов, М.Г. Косагонова, Н.К. Прокофьева, В.Г. Столярова, Ю.Н. Чекушкин. ФТП, 15, 2430 (1981)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
  • Ю.М. Сулейманов, А.М. Грехов, В.М. Грехов. ФТТ, 25, 1840 (1983)
  • Ю.А. Водаков, А.И. Гирка, А.О. Константинов, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, С.В. Свирида, В.В. Семенов, В.И. Соколов, А.В. Шишкин. ФТП, 26, 1857 (1992)
  • Ю.А. Водаков, А.А. Вольфсон, Г.В. Зарицкий, Е.Н. Мохов, А.Г. Остроумов, А.Д. Роенков, В.В. Семенов, В.И. Соколов, В.Е. Удальцов. ФТП, 26, 107 (1992)
  • W.J. Choyke. In: NATO ASI Ser. Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides and Borides, ed. by R. Freer (Manchester, 1989)
  • А.А. Лебедев, М.П. Щеглов, Т.В. Соколова. Письма ЖТФ 21, 48 (1995)
  • H. Kuwabara, S. Yamata. Phys. St. Sol. (a), 30, 739 (1975)
  • S.E. Saddow, C.W. Tripton, M.S. Mazzola. J. Appl. Phys., 77, 318 (1994)
  • H. Matsunami, M. Ikeda, T. Tanaka. Jap. J. Appl. Phys., 19, 1323 (1980)
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 473 (1994)
  • A.A. Lebedev, M.C. do Carmo. Mater. Sci. Eng. B, 46, 275 (1997)
  • А.В. Наумов, В.И. Санкин. ФТП, 23, 1009 (1989)
  • В.И. Санкин, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков. ФТП, 16, 1325 (1983)
  • В.С. Баландович, Г.Н. Виолина. ФТП, 15, 1650 (1981)
  • M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strel'chuk. Springer Proc. in Phys., 56, 269 (1992)
  • А.М. Стрельчук. ФТП, 29, 1190 (1995)
  • A.M. Strel'chuk, V.V. Evstropov. Inst. Phys. Conf. Ser. 155, 1009 (1997)
  • O. Kordina, J.P. Bergman, A.Henry, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 66, 189 (1995)
  • J.P. Bergman, C. Hallin, E. Janzen. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 63
  • А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 31, 1049 (1997)
  • А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7, 1335 (1981)
  • Ю.А. Водаков, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7, 705 (1981)
  • А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. ФТП, 17, 1093 (1983)
  • М.М. Аникин, С.Н. Вайнштейн, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 22, 545 (1988)
  • М.М. Аникин, М.Е. Левинштейн, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 22, 1574 (1988)
  • А.С. Кюрегян, П.Н. Шлыгин. ФТП, 23, 1164 (1989)
  • Е.В. Астрова, В.М. Волле, В.Б. Воронков, В.А. Козлов, А.А. Лебедев. ФТП, 20, 2122 (1986)
  • P.G. Neudeck, Ch. Fazi. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 96 (1997)
  • A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, S. Ortolland, C. Raynaud, M.L. Locatelli, D. Planson, J.P. Chante. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 701 (1996)
  • А.А. Лебедев, С. Ортоланд, К. Раноуд, М.Л. Локателли, Д. Плансон, Ж.П. Шант. ФТП, 31, 866 (1997)
  • Р.Н. Кютт, А.А. Лепенева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, А.С. Трегубова, Г.Ф. Юлдашев. ФТТ, 30, 2606 (1988)
  • А.И. Гирка, В.А. Кулешин, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, С.В. Свирида, А.В. Шишкин. ФТП, 23, 1270 (1989)
  • V.A. Il'in, B.S. Balandovich. Defect and Diffusion Forum, 103--105 (Trans, Tech. publ., Switzeland, 1993) p. 633.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.