"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Непрерывная генерация при 293 K РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010]
Евтихиев В.П.1, Кудряшов И.В.1, Котельников Е.Ю.1, Токранов В.Е.1, Титков А.Н.1, Тарасов И.С.1, Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Исследованы электролюминесценция и генерация лазеров с одним слоем InAs квантовых точек, выращенных в одном процессе молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках (001) GaAs, разориентированных в направлении [010] на 2, 4 и 6o. Обнаружено, что увеличение угла разориентации приводит к коротковолновому сдвигу и уменьшению полуширины спектров электролюминесценции. Наблюдаемый эффект объясняется уменьшением размеров квантовых точек и улучшением их однородности по размерам. Обнаружена сильная зависимость величины пороговой плотности тока от ширины спектра спонтанной люминесценции. Пороговая плотность тока при комнатной температуре лазеров с одним слоем квантовых точек и с минимальной полушириной спектра спонтанной люминесценции (54 мэВ) составила 210 А/см2.
  • Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 385 (1998)
  • F. Heinrishsdorff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 71, 22 (1997)
  • V.P. Evtikhiev, A.K. Kryganovskii, A.B. Komissarov, A.N. Titkov, M. Ichida, A. Nakamura. Inst. Phys. Conf. Ser., 155, 351 (1996)
  • В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП, 32, 860 (1998)
  • Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, В.В. Агаев, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 17, 1653 (1983)
  • H. Shoji, Y. Nakata, K. Mukai, Y. Sugiyama, M. Sugawara, N. Yoloyama, H. Ishikawa. IEEE J. Select. Topics in Quantum Electron., 3, 188 (1997)
  • Д.Г. Васильев, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, И.В. Кудряшов, В.П. Кочерешко. ФТТ, 40, 855 (1998)
  • N.P. Kobayashi, T.R. Ramachandran, P. Chen, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 68, 3299 (1996)
  • Д.З. Гарбузов, А.Т. Гореленок, М.К. Трукан, А.С. Усиков, В.П. Чалый. ФТП, 15, 505 (1981)
  • L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.