"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Слабая локализация и межподзонные переходы в delta-легированном GaAs
Миньков Г.М.1, Негашев С.А.1, Рут О.Э.1, Германенко А.В.1, Валяев В.В.2, Гуртовой В.Л.2
1Уральский университет, Екатеринбург, Россия
2Институт полупроводниковой технологии и микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Экспериментально исследовано отрицательное магнитосопротивление в delta-легированном GaAs. Показано, что в наиболее совершенных структурах величина префактора в выражении для отрицательного магнитосопротивления существенно превышает теоретическое значение, полученное для двумерной пленки с одной заполненной подзоной размерного квантования. Обсуждается роль большого числа заполненных подзон и межподзонных переходов. Показано, что в delta-легированных слоях симметрия волновых функций и рассеивающего потенциала может привести к тому, что время межподзонных переходов между подзонами с различной четностью (taui,j) будет больше времени релаксации фазы волновой функции (tauvarphi). Такое соотношение taui,j и tauvarphi должно проявиться в существенном увеличении префактора.
  1. E. Abrahams, P.W. Anderson, D.C. Licciardello, T.V. Ramakrishnan. Phys. Rev. Lett., 42, 673 (1979)
  2. B.L. Altshuler, D. Khmelnitskii, A.I. Larkin, P.A. Lee. Phys. Rev. B, 22, 5142 (1980)
  3. S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Progt. Theor. Phys., 63, 707 (1980)
  4. S. Iwabuchi, Y. Nagaoka. J. Phys. Soc. Japan., 58, 1325 (1988).
  5. Н.С. Аверкиев, Г.Е. Пикус. ФТТ, 39, 1659 (1997)
  6. А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев. ФТП, 31, 459 (1997)
  7. P.T. Coleridge. Semicond. Sci. Technol., 5, 961 (1990)
  8. Г.М. Гусев, З.Д. Квон, Д.И. Лубышев, В.П. Мигаль, В.Н. Овсюк, В.В. Преображенский, С.И. Стенин. ФТТ, 30, 3148 (1988)
  9. M. Asche, K.J. Fridland, P. Kleinert, H. Kostial, J. Gerzog, R.Hey. Superlat. Microstr., 10, 425 (1990)
  10. Г.М. Гусев, З.Д. Квон, Д.И. Лубышев, В.П. Мигаль, А.Г. Погосов. ФТП, 25, 601 (1991)
  11. М.В. Буданцев, З.Д. Квон, А.Г. Погосов. ФТП, 26, 1565 (1992)
  12. V.A. Kulbachinskii, N.B. Brandt, V.G. Kytin, V.I. Kadushkin, A.P. Senichkin, E.L. Shangina. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 237 (1995)
  13. W. Poirier, D. Mailly, M. Sanquer. cond-mat/9706287
  14. W. Knap, C. Skierbiszewski, A. Zduniak, E. Litwin--Staszewska, D. Bertho, F. Kobbi, J.L. Robert, G.E. Pikus, F.G. Pikus, S.V. Iordanskii, V. Mosser, K. Zekentes, Yu.B. Lyanda-Geller. Phys. Rev. B, 53, 3912 (1996)
  15. T. Hassenkam, S. Pedersen, K. Baklanov, A. Kristensen, C.B. Sorensen, P.E. Lindelof, F.G. Pikus, G.E. Pikus. Phys. Rev. B, 55, 9298 (1997)
  16. А.Я. Шик. ФТП, 26, 1161 (1992)
  17. B.L. Altshuler, A.G. Aronov, D.E. Khmelnitsky. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, 7367 (1982)
  18. А.И. Ларкин. Письма ЖЭТФ, 31, 239 (1980)
  19. Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, А.Л. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий. ЖЭТФ, 81, 768 (1981)
  20. Б.Я. Балагуров. ЖЭТФ, 82, 1333 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.