"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников AIIIBV О б з о р
Бессолов В.Н.1, Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Проведен анализ работ, посвященных халькогенидной пассивации (атомами серы и селена) поверхности полупроводников AIIIBV. Рассмотрены особенности формирования химических связей, атомная структура и электронные свойства поверхности полупроводников AIIIBV, покрытых атомами халькогенидов. Обсуждаются успехи последних лет в применении халькогенидной пассивации в полупроводниковой технологии, а также тенденции и перспективы развития этого направления.
  • A.M. Green, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 1061 (1993)
  • D.L. Lile. Technologies for Optoelectronics. SPIE, 869, 107 (1987)
  • P. Viktorovitch. Rev. Phys. Appl., 25, 895 (1990)
  • P. Viktorovitch, M. Gendry, S.K. Krawczyk, F. Krafft, P. Abraham, A. Bekkaoni, Y. Monteil. Appl. Phys. Lett., 58, 2387 (1991)
  • M. Kasu, T. Makimoto, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 68, 955 (1996)
  • P.R. Varekamp, M.C. H kansson, J. Kanski, D.K. Shuh, M. Bjorkquist, M. Gothelid, W.C. Simpson, U.O. Karlsson, Y.A. Yarmoff. Phys. Rev. B, 54, 2101 (1996)
  • M. Passlack, M. Hong, J.P. Mannaerts, R.L. Opila, S.N.G. Chu, N. Moriya, F. Ren, J.R. Kwo. IEEE Trans. Electror. Dev., 44, 214 (1997)
  • C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  • M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin. Appl. Phys. Lett., 52, 2157 (1988)
  • J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Japan. J. Appl. Phys., 27, L1331 (1988)
  • H.H. Lee, R.J. Racicot, S.H. Lee. Appl. Phys. Lett., 54, 724 (1989)
  • K.C. Hwang, S.S. Li. J. Appl. Phys., 67, 2162 (1990)
  • Y. Wang, Y. Darici, P.H. Holloway. J. Appl. Phys., 71, 2746 (1992)
  • M.G. Mauk, S. Xu, D.J. Arent, R.P. Mertens, G. Borghs. Appl. Phys. Lett., 54, 213 (1989)
  • C.J. Sandroff, M.S. Hegde, L.A. Farrow, R. Bhat, J.P. Harbison, C.C. Chang. J. Appl. Phys., 67, 586 (1990)
  • B.A. Kuruvilla, G.V. Ghaisas, A. Datta, S. Banerjee, S.K. Kulkarni. J. Appl. Phys., 73, 4384 (1993)
  • Z.S. Li, W.Z. Cai, R.Z. Su, G.S. Dong, D.M. Huang, X.M. Ding, X.Y. Hou, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 3425 (1994)
  • K. Tsuchiya, M. Sakata, A. Funyu, H. Ikoma. Japan. J. Appl. Phys., 34, 5926 (1995)
  • A.S. Weling, K.K. Kamath, P.R. Vaya. Thin Sol. Films, 215, 179 (1992)
  • S.R. Lunt, G.N. Ryba, P.G. Santangelo, N.S. Lewis. J. Appl. Phys., 70, 7449 (1991)
  • J.F. Dorsten, J.E. Maslar, P.W. Bohn. Appl. Phys. Lett., 66, 1755 (1995)
  • K. Asai, T. Miyashita, K. Ishigure, S. Fukatsu. J. Appl. Phys., 77, 1582 (1995)
  • S. Weiguo. Appl. Phys. A, 52, 75 (1991)
  • J. Yota, V.A. Burrows. J. Vac. Sci. Technol. A., 11, 1083 (1993)
  • A.J. Howard, C.I.H. Ashby, J.A. Lott, R.P. Schneider, R.F. Corless. J. Vac. Sci. Technol. A., 12, 1063 (1994)
  • X.Y. Hou, W.Z. Cai, Z.Q. He, P.H. Hao, Z.S. Li, X.M. Ding, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 60, 2252 (1992)
  • В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма ЖТФ, 21, вып. 1, 46 (1995)
  • V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2761 (1996)
  • В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, Ю.М. Шерняков, Б.В. Царенков. Письма ЖТФ, 21, вып. 14, 53 (1995).
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, Yu.M. Shernyakov, B.V. Tsarenkov. Mater. Sci. Eng. B, 44, 380 (1997)
  • M. Liehr, H. Luth. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1200 (1979)
  • J. Massies, F. Dezaly, N.T. Linh. J. Vac. Sci. Technol., 17, 1134 (1980)
  • J.R. Waldrop. J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 1197 (1985).
  • Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшкин, В.Д. Стрыгин, В.Н. Моргунов. ЖТФ, 56, 913 (1986).
  • N. Barbouth, Y. Berthier, J. Oudar, J.-M. Moison, M. Bensoussan. J. Electrochem. Soc., 133, 1663 (1986)
  • M.G. Nooney, V. Liberman, R.M. Martin. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, 1837 (1995)
  • P. Klopfenstein, G. Bastide, M. Rouzeyre, M. Gendry, J. Durand. J. Appl. Phys., 63, 150 (1988)
  • J.S. Herman, F.L. Terry, Jr.. Appl. Phys. Lett., 60, 716 (1992)
  • G.Y. Gu, E.A. Ogryzlo, P.C. Wong, M.Y. Zhou, K.A.R. Mitchell. J. Appl. Phys., 72, 762 (1992)
  • L. Koenders, M. Blomacher, W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1416 (1988)
  • L. Roberts, G. Hughes, B. Fennema, M. Carbery. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1862 (1992)
  • R.S. Bhide, S.V. Bhoraskar, V.J. Rao. J. Appl. Phys., 72, 1464 (1992)
  • N. Yoshida, S. Chichibu, T. Akane, M. Totsuka, H. Uji, S. Matsumoto, H. Higuchi. Appl. Phys. Lett., 63, 3035 (1993)
  • K.R. Zavadil, C.I.H. Ashby, A.J. Howard, B.E. Hammons. J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1045 (1994)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, E.B. Novikov, B.V. Tsarenkov. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 10 (1993)
  • V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. Mater. Sci. Eng. B, 44, 376 (1997)
  • A.F. Wells. Strurctural Inorganic Chemistry (Claredon Press, Oxford, 1986)
  • V.L. Berkovits, V.N. Bessolov, T.V. L'vova, E.B. Novikov, V.I. Safarov, R.V. Khasieva, B.V. Tsarenkov. J. Appl. Phys., 70, 3707 (1991).!! vadjust !!
  • J.L. Leclercq, E. Bergignat, G. Hollinger. Semicond. Sci. Technol., 10, 95 (1995)
  • T. Ishikawa, H. Ikoma. Japan. J. Appl. Phys., 31, 3981 (1992).
  • Н.Н. Берченко, Ю.В. Медведев. Успехи химии, 63, 655 (1994).
  • M.S. Carpenter, M.R. Melloch, B.A. Cowans, Z. Dardas, W.N. Delgass. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 845 (1989)
  • C.J. Sandroff, M.S. Hegde, C.C. Chang. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 841 (1989)
  • C.J. Spindt, R.S. Besser, R. Cao, K. Miyano, C.R. Helms, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 2466 (1989)
  • H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, Y. Nannichi. J. Appl. Phys., 69, 4349 (1991)
  • H. Sugahara, M. Oshima, R. Klauser, H. Oigawa, Y. Nannichi. Surf. Sci., 242, 335 (1991)
  • J. Shin, K.M. Geib, C.W. Wilmsen. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 2337 (1991)
  • P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, A.A. Cafolla, G. Hughes, L. Koenders, P. Bailey. Phys. Rev. B, 50, 14237 (1994)
  • K. Sato, M. Sakata, H. Ikoma. Japan. J. Appl. Phys., 32, 3354 (1993)
  • M. Sakata, H. Ikoma. Japan. J. Appl. Phys., 33, 3813 (1994)
  • J.S. Herman, F.L. Terry, Jr.. J. Vac. Sci. Technol. A., 11, 1094 (1993)
  • W. Ranke, J. Finster, H.J. Kuhr. Surf. Sci., 187, 112 (1987)
  • T. Tiedje, K.M. Colbow, D. Rogers, Z. Fu, W. Eberhardt. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 837 (1989)
  • V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 876 (1997)
  • E.A. Miller, G.L. Richmond. J. Phys. Chem. B, 101, 2669 (1997)
  • H. Ohno, H. Kawanishi, Y. Akagi, Y. Nakajima, T. Hijikata. Japan. J. Appl. Phys., 29, 2473 (1990)
  • T. Scimeca, Y. Muramatsu, M. Oshima, H. Oigawa, Y. Nannichi. Phys. Rev. B, 44, 12 927 (1991)
  • T. Ohno, K. Shiraishi. Phys. Rev. B, 42, 11 194 (1990)
  • T. Ohno. Phys. Rev. B, 44, 6306 (1991)
  • B. Murphy, P. Moriarty, L. Roberts, T. Cafolla, G. Hughes, L. Koenders, P. Bailey. Surf. Sci., 317, 73 (1994)
  • Y. Takakuwa, M. Niwano, S. Fujita, Y. Takeda, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 58, 1635 (1991)
  • M. Oshima, T. Scimeca, Y. Watanabe, H. Oigawa, Y. Hannichi. Japan. J. Appl. Phys., 32, 518 (1993)
  • F.S. Turco, C.J. Sandroff, M.S. Hedge, M.C. Tamargo. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 856 (1990)
  • T. Scimeca, Y. Watanabe, R. Berrigan, M. Oshima. Phys. Rev. B, 46, 10 201 (1992)
  • S. Takatani, T. Kikawa, M. Nakazawa, Phys. Rev. B, 45, 8498 (1992)
  • S.A. Chambers, V.S. Sundaraman. Appl. Phys. Lett., 57, 2342 (1990)
  • K. Sato, H. Ikoma. Japan. J. Appl Phys., 32, 921 (1993)
  • T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, R. Berrigan, M. Oshima. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 3090 (1994)
  • N. Shibata, H. Ikoma. Japan. J. Appl. Phys., 31, 3976 (1992)
  • C.W. Wilmsen, K.M. Geib, J. Shin, R. Iyer, D.L. Lile, J.J. Pouch. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 851 (1989)
  • W.M. Lau, S. Jin, X.-W. Wu, S. Ingrey. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 848 (1990)
  • C.S. Sundararaman, S. Poulin, J.F. Currie, R. Leonelli. Can. J. Phys., 69, 329 (1991)
  • W.M. Lau, R.W.M. Kwok, S. Ingrey. Surf. Sci., 271, 579 (1992)
  • Y. Tao, A. Yelon, E. Sacher, Z.H. Lu, M.J. Graham. Appl. Phys. Lett., 60, 2669 (1992)
  • F. Maeda, Y. Watanabe, M. Oshima. Appl. Phys. Lett., 62, 297 (1993)
  • T. Chasse, H. Peisert, P. Streubel, R. Szargan. Surf. Sci., 331--333, 434 (1995)
  • Y. Fukuda, Y. Suzuki, N. Sanada, S. Sasaki, T. Ohsawa. J. Appl. Phys., 76, 3059 (1994)
  • S. Maeyama, M. Sugiyama, S. Heun, M. Oshima. J. Electron. Mater., 25, 593 (1996)
  • G.W. Anderson, M.C. Hanf, P.R. Norton, Z.H. Lu, M.J. Graham. Appl. Phys. Lett., 65, 171 (1994)
  • M. Sugiyama, N. Yabumoto, S. Maeyama, M. Oshima. Japan. J. Appl. Phys., 34, L1588 (1995)
  • A.J. Nelson, S. Frigo, R. Rosenberg. J. Appl. Phys., 71, 6086 (1992)
  • A.J. Nelson, S. Frigo, R. Rosenberg. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 1022 (1993)
  • R.W.M. Kwok, W.M. Lau. J. Vac. Sci. Technol. A, 10, 2515 (1992)
  • R.W.M. Kwok, G. Gin, B.K.L. So, K.C. Hui, L. Hwang, W.M. Lau, C.C. Hsu, D. Landheer. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, 652 (1995).
  • Ю.Г. Галицин, В.Г. Мансуров, В.И. Пошевнев, Р.А. Соколов, Н.А. Валишева. Поверхность. Физика, химия, механика, N 5, 108 (1992)
  • Ю.А. Кудрявцев, Е.Б. Новиков, Н.М. Стусь, Е.И. Чайкина. ФТП, 26, 1742 (1992)
  • N. Yoshida, M. Totsuka, J. Ito, S. Matsumoto. Japan. J. Appl. Phys., 33, 1248 (1994)
  • L. Geelhaar, R.A. Bartynski, F. Ren, M. Schnoes, D.N. Buckley. J. Appl. Phys., 80, 3076 (1996)
  • L. Jedral, H.E. Ruda, R. Sodhi, H. Ma, L. Mannik. Can. J. Phys., 70, 1050 (1992)
  • Z.H. Lu, M.J. Graham. J. Appl. Phys., 75, 7567 (1994)
  • Y. Fukuda, N. Sanada, M. Kuroda, Y. Suzuki. Appl. Phys. Lett., 61, 955 (1992)
  • E. Dudzik, R. Whittle, C. Muller, I.T. McGovern, C. Nowak, A. Markl, A. Hempelmann, D.R.T. Zahn, A. Cafolla, W. Braun. Surf. Sci., 307--309, 223 (1994)
  • H. Hirayama, Y. Matsumoto, H. Oigawa, Y. Nannichi. Appl. Phys. Lett., 54, 2565 (1989)
  • X.-s. Wang, W.H. Weinberg. J. Appl. Phys., 75, 2715 (1994)
  • V.L. Berkovits, D. Paget. Appl. Phys. Lett., 61, 1835 (1992)
  • V.N. Bessolov, A.F. Ivankov, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 1018 (1995)
  • N. Yokoi, M. Taketani, H. Andoh, M. Takai. Japan. J. Appl. Phys., 33, 7130 (1994)
  • X.-S. Wang, K.W. Self, R. Maboudian, V. Bressler-Hill, W.H. Weinberg. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 1089 (1993)
  • D. Paget, J.E. Bonnet, V.L. Berkovits, P. Chiaradia, J. Avila. Phys. Rev. B, 53, 4604 (1996)
  • S. Maeyama, M. Sugiyama, M. Oshima. Surf. Sci., 357--358, 527 (1996)
  • S. Tsukamoto, N. Koguchi. Japan. J. Appl. Phys., 33, L1185 (1994)
  • M.D. Pashley, D. Li. J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1848 (1994)
  • Y. Haga, S. Miwa, E. Morita. Appl. Surf. Sci., 107, 58 (1996)
  • Z.H. Lu, M.J. Graham, X.H. Feng, B.X. Yang. Appl. Phys. Lett., 60, 2773 (1992)
  • O.L. Warren, G.W. Anderson, M.C. Hauf, K. Griffits, P.R. Norton. Phys. Rev. B, 52, 2959 (1995).!! vadjust !!
  • J.-M. Jin, M.W.C. Dharma-wardana, D.J. Lockwood, G.C. Aers, Z.H. Lu, L.J. Lewis. Phys. Rev. Lett., 75, 878 (1995)
  • Z. Tian, M.W.C. Dharma-wardana, Z.H. Lu, A. Cao, L.J. Lewis. Phys. Rev. B, 55, 5376 (1997)
  • M.W.C. Dharma-wardana, Z. Tian, Z.H. Lu, L.J. Lewis. Phys. Rev. B, 56, 10526 (1997)
  • E. Dudzik, A. Leslie, E. O'Toole, I.T. McGovern, A. Pachett, D.R.T. Zahn, J. Ludecke, D.P. Woodruff, B.C.C. Cowie. J. Phys.: Condens. Matter, 8, 15 (1996)
  • E. Dudzik, A. Leslie, E. O'Toole, I.T. McGovern, A. Pachett, D.R.T. Zahn. Appl. Surf. Sci., 104 / 105, 101 (1996)
  • B.J. Skromme, C.J. Sandroff, E. Yablonovich, T.J. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 2022 (1987)
  • E. Yablonovitch, C.J. Sandroff, R. Bhat, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 439 (1987)
  • В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма ЖТФ, 22, вып. 18, 37 (1996)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, N.-M. Binh, M. Friedrich, D.R.T. Zahn. Semicond. Sci. Technol., 13, 611 (1998)
  • D. Paget, A.O. Gusev, V.L. Berkovits. Phys. Rev. B, 53, 4615 (1996)
  • D. Liu, T. Zhang, R.A. LaRue, J.S. Harris, T.W. Sigmon. Appl. Phys. Lett., 53, 1059 (1988)
  • J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Japan. J. Appl. Phys., 27, L2125 (1988)
  • E.B. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 12, 59 (1996)
  • S.-F. Ren, Y.-C. Chang. Phys. Rev. B, 41, 7705 (1990)
  • K.N. Ow, X.W. Wang. Phys. Rev. B, 54, 17 661 (1996)
  • J. Guo-Ping, H.E. Ruda. J. Appl. Phys., 79, 3758 (1996)
  • H. Ishimura, K. Sasaki, H. Tokuda. Inst. Phys. Conf. Ser., 106, 405 (1990)
  • I.K. Hau, D.H. Woo, H.J. Kim, E.K. Kim. J.I. Lee, S.H. Kim, K.N. Kang, H. Lim, H.L. Park. J. Appl. Phys., 80, 4052 (1996)
  • T.K. Paul, D.N. Bose. J. Appl. Phys., 70, 7387 (1991)
  • W.D. Chen, X.Q. Li, L.H. Duan, X.L. Xie, Y.D. Cai. Appl. Surf. Sci., 100 / 101, 592 (1996)
  • L.A. Farrow, C.J. Sandroff, M.C. Tamargo. Appl. Phys. Lett., 51, 1931 (1987)
  • G.P. Schwartz, G.J. Gualtieri. J. Electrochem. Soc., 133, 1266 (1986)
  • R.S. Besser, C.R. Helms. Appl. Phys. Lett., 52, 1707 (1988)
  • H. Hasegawa, H. Ishii, T. Sawada, T. Saitoh, S. Konishi, Y. Liu, H. Ohno. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1184 (1988)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, D.R.T. Zahn. J. Appl. Phys., 82, 2640 (1997)
  • В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев, D.R.T. Zahn. ФТП, 31, 1350 (1997).
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, A.F. Ivankov, W. Bauhofer, D.R.T. Zahn. Appl. Surf. Sci., 133, 17 (1998)
  • T. Chasse, A. Chasse, H. Peisert, P. Streubel. Appl. Phys. A, 65, 543 (1997)
  • Y. Watanabe, F. Maeda. Appl. Surf. Sci., 117 / 118, 735 (1997)
  • R.N. Nottenburg, C.J. Sandroff, D.A. Humphrey, T.H. Hollenbeck, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 52, 218 (1988)
  • H.L. Chuang, M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, E. Yablonovitch, T.J. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 57, 2113 (1990)
  • A. Kapila, V. Malhotra, L.H. Camnitz, K.L. Seaward, D. Mars. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 10 (1995)
  • S. Shikata, H. Okada, H. Hayashi. J. Appl. Phys., 69, 2717 (1991)
  • K.C. Hwang, S.S. Li, C. Park, T.J. Anderson. J. Appl. Phys., 67, 6571 (1990)
  • A.Y. Polyakov, M. Stam, A.G. Milnes, A.E. Bochkarev, S.J. Pearton. J. Appl. Phys., 71, 4411 (1992)
  • H. Xu, S. Belkouch, C. Aktik, W. Rasmussen. Appl. Phys. Lett., 66, 2125 (1995)
  • B. Rotelli, L. Tarricone, E. Gombia, R. Mosca, M. Perotin. J. Appl. Phys., 81, 1813 (1997)
  • C.R. Moon, B.-D. Choe, S.D. Kwon. H. Lim. J. Appl. Phys., 81, 2904 (1997)
  • J.-L. Lee, D. Kim, S.J. Maeng, H.H. Park, J.Y. Kang, Y.T. Lee. J. Appl. Phys., 73, 3539 (1993)
  • M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys. Lett., 53, 66 (1988).
  • Б.И. Сысоев, В.Д. Стрыгин, Г.И. Котов. Письма ЖТФ, 16, вып. 9, 22 (1990)
  • H. Oigawa, J.-F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Japan. J. Appl. Phys., 30, L322 (1991)
  • Y.K. Kim, S. Kim, J.M. Seo, S. Ahn, K.J. Kim, T.-H. Kang, B. Kim. J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 1124 (1997)
  • J.-F. Fan, Y. Kurata, Y. Nannichi. Japan. J. Appl. Phys., 28, L2255 (1989)
  • T. Kikawa, S. Takatani, Y. Tezen. Appl. Phys. Lett., 60, 2785 (1992)
  • L.J. Huang, K. Rajesh, W.M. Lau, S. Ingrey, D. Landheer, J.-P. Noel, Z.H. Lu. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, 792 (1995)
  • G. Eftekhari. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 3214 (1994)
  • D. Landheer, G.H. Yousefi, J.B. Webb, R.W.M. Kwok, W.M. Lau. J. Appl. Phys., 75, 3516 (1994)
  • P.D. DeMoulin, S.P. Tobin, M.S. Lundstrom, M.S. Carpenter, M.R. Melloch. IEEE Electron Dev. Lett., EDL-9, 368 (1988)
  • Е.Б. Новиков, Р.В. Хасиева, Г.А. Шакиашвили. ФТП, 24, 1276 (1990)
  • M. Perotin, P. Coudray, A. Etcheberry, L. Gouskov, C. Debiemme-Chouvy, H. Luquet. Mater. Sci. Eng. B, 28, 374 (1994)
  • X.Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, K. Oshimo, M. Aoyama, M. Kumagawa, N.L. Rowell. Appl. Surf. Sci., 113 / 114, 388 (1997)
  • И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 653 (1997)
  • X.Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, T. Iida, T. Kato, M. Aoyama, Y. Suzuki, N. Sanada, Y. Fukuda, M. Kumagawa. Japan. J. Appl. Phys., 37, 55 (1998)
  • T. Tamanuki, F. Koyama, K. Iga. Japan. J. Appl. Phys., 30, 499 (1991)
  • T. Tamanuki, F. Koyama, K. Iga. Japan. J. Appl. Phys., 31, 3292 (1992)
  • W.S. Hobson, U. Mohideen, S.J. Pearton, R.E. Slusher, F. Ren. Electron. Lett., 29, 2199 (1993)
  • W.S. Hobson, F. Ren, U. Mohideen, R.E. Slusher, M. Lamont Schnoes, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, 642 (1995)
  • L.F. DeChiaro, C.J. Sandroff. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-39, 561 (1992)
  • R. Hakimi, M.-C. Amann, Semicond. Sci. Technol., 12, 778 (1997)
  • G. Beister, J. Maege, D. Gutsche, G. Erbert, J. Sebastian, K. Vogel, M. Weyers, J. Wurfl, O.P. Daga. Appl. Phys. Lett., 68, 2467 (1996).!! vadjust !!
  • M.R. Melloch, M.S. Carpenter, D.E. Dungan, D. Li, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 56, 1064 (1990)
  • N. Furuhata, Y. Shiraishi. Japan. J. Appl. Phys., 37, 10 (1998)
  • F.S. Turco, C.J. Sandroff, D.M. Hwang, T.S. Ravi, M.C. Tamargo. J. Appl. Phys., 68, 1038 (1990)
  • Y. Miyamoto, H. Hirayama, T. Suemasu, Y. Miyake, S. Arai. Japan. J. Appl. Phys., 30, L672 (1991)
  • V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, G.A. Shakiashvili, V.P. Ulin, D. Paget. Appl. Phys. Lett., 63, 970 (1993)
  • T. Chikyow, N. Koguchi. Appl. Phys. Lett., 61, 2431 (1992)
  • L.S. Hung, G.H. Braunstein, L.A. Bosworth. Appl. Phys. Lett., 60, 201 (1992)
  • S. Omori, H. Ishii, Y. Nihei. Surf. Sci., 121 / 122, 241 (1997)
  • Y.-h. Wu, T. Toyoda, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita. Japan. J. Appl. Phys., 29, L144 (1990).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.