Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1998, выпуск 10 » Статья стр. 1266
<<<>>>
Влияние гетерогенности материала на кинетику фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
Коугия К.В.1, Теруков Е.И.2, Фус В.3
1Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Hahn-Meither Institute, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
PDF версия
Предложена модель кинетики спада фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии в предположении о подбарьерном туннельном характере рекомбинации неравновесных носителей. Показано, что исследование формы спада фотопроводимости при импульсном возбуждении может быть эффективно использовано для обнаружения структурных неоднородностей в аморфных или неупорядоченных полупроводниках.
  1. H.B. DeVore. RCA Rev., 20, 79 (1959)
  2. J.G. Simmons, M.C. Tam. Phys. Rev. B, 7, 3706 (1973)
  3. J. Orenstein, M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 46, 1421 (1981)
  4. H. Naito. Sol. St. Phenomena, 44--46, 647 (1995)
  5. H. Oheda. Researhes of the Electrotechnical Laboratory, 886 (1987)
  6. В.П. Добрего, С.М. Рывкин. ФТТ, 4, 553 (1962)
  7. R. Rentzch, I.S. Shilimak. Phys. St. Sol. (a), 43, 231 (1977)
  8. A.A. Andreev, A.V. Zherzdev, A.I. Kosarev, K.V. Koughia, I.S. Shilimak. Sol. St. Commun., 52, 589 (1984)
  9. B.I. Shklovskii, E.I. Levin, H. Fritzche, S.D. Baranovskii. In: Advances in Disordered Semiconductors, V. 3. Correlation and Structural Defects, ed. by H. Fritzche (World Scientific, 1990) p. 161
  10. K.V. Koughia, I.S. Shilimak. In: Advances in Disordered Semiconductors, V. 3. Correlation and Structural Defects, ed. by H. Fritzche (World Scientific, 1990) p. 213
  11. H. Dersch, L. Shweitzer, J. Stuke. Phys. Rev. B, 28, 4678 (1983)
  12. В.С. Львов, Л.С. Мима, О.В. Третьяк. Препринт N 182, Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР (Новосибирск, 1982)
  13. К.В. Коугия, Е.И. Теруков, В. Фус. ФТП (в печати)
  14. T. Tiedje. In: The Phycics of Hydrogeneted Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties, ed. by J.D. Jonnopoulos and G. Lucovsky (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, N. Y., Tokyo, 1984) p. 329
  15. V. Chech, F. Schauer, J. Stuchlik. J. Non-Cryst. Sol. (to be published).)
  16. C. Tsang, R.A. Street. Phys. Rev. B, 19, 3027 (1979)
  17. H. Reiss. J. Chem. Phys., 25, 400 (1956)
  18. J. Knights. The Phycics of Hydrogeneted Amorphous Silicon I, ed. by J.D. Jonnopoulos and G. Lucovsky (Springer Verlag, Berlin, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme