Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Новый центр рекомбинации в сильно легированном цинком арсениде галлия, полученном методом жидкофазной эпитаксии

Журавлев К.С.¹, Шамирзаев Т.С.¹, Якушева Н.А.¹, Петренко И.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 12 января 1988 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев p-GaAs : Zn ориентации (100), выращенных методом жидкофазной эпитаксии из галлиевого и висмутового расплавов при разных температурах. Установлено, что в исследованных слоях образуется новый центр излучательной рекомбинации. Концентрация центров возрастает с повышением уровня легирования пропорционально концентрации дырок в степени 5.35±0.1, причем показатель степени не зависит от металла-растворителя и температуры эпитаксии. Экспериментальные результаты объяснены в предположении, что центр является электронейтральным комплексом, в состав которого входят галлий на месте мышьяка и две вакансии мышьяка.

G. Packeiser, H. Tews, P. Zwicknagl. J. Cryst. Growth, 107, 883 (1991)
Ю.Б. Болховитянов, Б.В. Морозов, А.Г. Паулиш, А.С. Суранов, А.С. Терехов, Е.Х. Хайри, С.В. Шевелев. Письма ЖТФ, 16, вып. 7, 25(1990)
E.W. Williams, H.B. Bebb. Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson (Academic Press, N.Y., 1972) v. 8, p. 336
В.Г. Погадаев, Н.А. Якушева. Электрон. техн., сер. 6, Материалы, вып. 5, 48 (1990)
K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich. Phys. St. Sol. (a), 29, 339 (1975)
А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 33, 427 (1981)
П.Л. Кукк. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 16, 1509 (1980).
K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, V.E. Radionov, V.I. Vovnenko. Phys. St. Sol. (a), 49, 593 (1978)
C.J. Hwang. Phys. Rev., 180, 827 (1969).
M.G. Dowsett, E.A. Clark. In: Practical Surface Analysis, v. 2. Ion and Neutral Spertroscopy, ed. by D. Briggs and M.P. Seah (John Wiley\&Sons Ldt., 1992)
Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., 1969)
К.С. Журавлев, С.Ч. Чикичев, Р. Штаске, Н.А. Якушева. ФТП, 24, 1645 (1990)
Р.Х. Акчурин, И.О. Донская, С.И. Дулин, В.Б, Уфимцев. Кристаллография, 33, 464 (1988)
T. Kitano, H. Watanabe, J. Matsul. Appl. Phys. Lett., 54, 2201 (1989)
T.Y. Tan, S. Yu, U. Gosele. J. Appl. Phys., 70, 4823 (1991)
G. Bosker, N.A. Stolwijk, H.-G. Hettwer, A. Rucki, W. Jager, U. Sodervall. Phys. Rev. B, 52, 11 927 (1995)
J.F. Wager. J. Appl. Phys., 69, 3022 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель