"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Активация и распределение кремния, имплантированного в арсенид галлия, при изотермическом радиационном отжиге
Ардышев В.М.1, Ардышев М.В.2
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Методом ВФХ исследованы концентрационные профили n(x) 28Si, имплантированного в GaAs (E=50 и 75 кэВ, F=(1.88/ 6.25)· 1012 см-2 ) после "фотонного" и "электронного" отжигов с защитой поверхности диэлектриком и без нее. Показано, что в отличие от термического отжига (800oC, 30 мин) после фотонного и электронного отжигов наблюдается диффузионное перераспределение кремния в глубь GaAs. Коэффициент диффузии D и степень активации eta с ростом температуры при фотонном отжиге и мощности при электронном отжиге увеличиваются. Значения энергии активации процессов для D и eta при радиационном отжиге меньше аналогичных величин при термическом отжиге. Величины D и eta после фотонного и электронного отжигов без защитного диэлектрика выше, чем при отжиге с диэлектриком.
  • А.В. Черняев. Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на GaAs (М., Радио и связь, 1990)
  • Арсенид галлия в микроэлектронике, пер. с англ. под ред. В.Н. Мордковича (М., Мир, 1988)
  • А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин и др. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
  • Ito Kazuhiko, Yoshida Masahiro et al Jap. J. Appl. Phys., 22, L299 (1983)
  • S.Y. Chiang, G.L. Pearson. J. Appl. Phys., 46, 2986 (1975)
  • В.М. Ардышев, Л.А. Козлова и др. А.с. N 235899 от 01.04.86
  • В.В. Титов. Обзоры по электрон. техн. Сер. Полупроводниковые приборы, 1, вып. 10 (223), 62 (1974)
  • Ю.Е. Крейндель, Н.И. Лебедева и др. Письма ЖТФ, 8, вып. 23, 1465 (1982)
  • D.H. Lee, R.M. Matbon. Appl. Phys. Lett., 30, 327 (1977)
  • МОП--СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов, пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Радио и связь, 1988)
  • Т.Т. Лаврищев, С.С. Хлудков. В сб.: Арсенид галлия (Томск, Изд-во ТГУ, 1974) вып. 5, с. 57
  • Б.М. Горюнов, Е.И. Зорин и др. В сб.: Арсенид галлия (Томск, Изд-во ТГУ, 1974) вып. 4, с. 102
  • В.М. Ленченко. ФТТ, 11, 799 (1969)
  • D.V. Lang, L.C. Kimerling. Phys. Rev. Lett., 33, 489 (1974)
  • М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллических полупроводниках (М., Металлургия, 1984)
  • L.C. Kimerling. IEEE Trans. Nucl. Sci., N5--23, 1497 (1976)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.