"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость обратного тока в диодах с барьером Шоттки
Пипинис П.А.1, Римейка А.К.1, Лапейка В.А.1
1Вильнюсский педагогический университет, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 16 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 21 июня 1998 г.

Измерены температурные зависимости тока I при напряжениях обратного смещения структур Al--SiO2-n-Si, Al--SiO2-n-GaAs и Al--n-GaAs (с собственным окислом). Установлено, что общим свойством этих зависимостей является уменьшение энергии термической активации с увеличением приложенного напряжения и отклонение этих зависимостей от прямой, изображенных в координатах ln I от 1/T, наблюдаемое при более высоких напряжениях. Результаты объясняются на основе того, что ток через барьер обусловливается туннелированием электронов из поверхностных состояний в зону проводимости полупроводника. Из сопоставления результатов опыта с теорией туннелирования, в которой учтено влияние фононов решетки полупроводника на вероятность туннелирования, даны оценки напряженности поля в барьере Шоттки и поверхностной плотности электронных состояний в граничном слое полупроводника.
  • M.S. Tyagi. Metal-semiconductor Schottky Barrier junctions and their applications, ed. by P.L. Sharma (N.Y., 1984)
  • C.P. Crowel, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 9, 1035 (1966)
  • F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  • C.P. Crowel, V.L. Rideout. Sol. St. Electron., 12, 89 (1969)
  • K. Maeda, I. Umzu, H. Ikoma, T. Yoshimura. J. Appl. Phys., 68, 2858 (1990)
  • A. Singh, P. Cova. J. Appl. Phys., 74, 2336 (1994)
  • А.Н. Король. ФТП, 14, 1180 (1980)
  • Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова. ФТП, 15, 2339 (1981)
  • А.В. Чаплик, М.В. Энтин. ЖЭТФ, 67, 208 (1974)
  • C.Y.Wu. J. Appl. Phys., 53, 5947 (1982)
  • B. Barus, D. Donoval. Sol. St. Electron., 36, 969 (1993)
  • R. Brazis, P. Pipinys, A. Rimeika, L. Gegznaite. Sol. St. Commun., 55, 25 (1985)
  • Ф.И. Далидчик. ЖЭТФ, 74, 472 (1978)
  • M. Lenzlinger, E.H. Snow. J. Appl. Phys., 40, 278 (1969)
  • J.M. Gibson, D.W. Dong. J. Electrochem. Soc., 127, 27 212 (1980)
  • С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, О.С. Фролов. Микроэлектроника, 13, 239 (1984)
  • S.J. Fonash, S. Ashok. Sol. St. Electron., 24, 427 (1981)
  • A. Rothwarf, I. Pereyra. Sol. St. Electron., 24, 1067 (1981)
  • P. Chattopadhyay, A.N. Daw. Sol. St. Electron., 29, 555 (1986)
  • С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
  • Р.Р. Литовский, В.С. Лысенко, А.Н. Назаров, Т.Е. Руденко. Микроэлектроника, 16, 427 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.