"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов
Андреев А.Н.1, Растегаева М.Г.1, Растегаев В.П.1, Решанов С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Предложена разновидность конфигурации контактных площадок с радиальной геометрией, имеющая ряд преимуществ при определении переходного сопротивления омических контактов (rhoc) изготовленных к подложкам и слоям полупроводника с высокой проводимостью. Рассмотрены различные варианты ее применения как в методе TLM, так и в методе, основанном на численном расчете сопротивления полупроводника с учетом эффекта растекания. Показано, что методы, основанные на использовании TLM, позволяют получить оценку "сверху" величины удельного переходного сопротивления омических контактов в подложкам, а также проведены расчеты возникающей при этом погрешности в зависимости от параметров полупроводника и контакта. Такая оценка является хорошим начальным приближением при определении точного значения rhoc посредством численных расчетов сопротивления полупроводника. Полученные результаты использованы при исследовании удельного сопротивления омических контактов, изготовленных на основе никеля к подложкам n-6H-SiC.
  • В.Я. Нисков. ПТЭ, 1, 235 (1971)
  • H.H. Berger. Sol. St. Electron., 15, 145 (1972)
  • G. Boberg, L. Stolt, P.A. Tove, H. Norde. Physica Scripta, 24, 405 (1981)
  • G.K. Reeves. Sol. St. Electron., 23, 487 (1980)
  • G.S. Martow, M.B. Das. Sol. St. Electron., 25, 91 (1982)
  • J.S. Chen, A. Bashli, M.-A. Nicolet, L. Baud, C. Jaussaud, R. Madar. Mater. Sci. Engin., B, 29, 185 (1995)
  • L.K. Mak, C.M. Rogers, D.C. Northrop. J. Phys. E: Sci. Instrum., 22, 317 (1989)
  • Ю.Д. Чистяков, В.В. Баранов, А.П. Достанко. Обзоры по электронной технике. Сер.: Полупроводниковые приборы (М., Изд-во ЦНИИ "Электроника", 1973) вып. 7 (143)
  • А.М. Стрельчук, Б.Н. Грессеров. Письма ЖТФ, 22, 1 (1996)
  • V. Rastegaev, S. Reshanov, A. Andreev, M. Rastegaeva. Trans. of the Third Int. High Temperature Conference (USA, 1996) p. 149
  • И.Н. Бронштейн, К.А. Семендяев. Справочник по математике (М., Наука, 1980)
  • M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev, V.V. Zelenin, A.I. Babanin, I.P. Nikitina, V.E. Chelnokov, V.P. Rastegaev. Proc. VIth Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, ed. by S. Nakashima et al. (Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 1995) p. 581
  • M.G. Rastegaeva, A.B. Andreev, A.A. Petrov, A.I. Babanin, M.A. Yagovkina, I.P. Nikitina. Abstracs of E-MRS Spring Meeting (France, 1996) A--VII.3
  • Yu.M. Tairov, Yu.A. Vodakov. Topics in Applied Physics, ed. by Pankov (Berlin--Heidelberg--N.Y., 1977) v. 17, p. 31
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1980) с. 164
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.