"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Подпороговые характеристики транзисторов и тиристоров с электростатическим управлением. III. Скрытый затвор
Кюрегян А.С.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением (ТЭУ) и скрытым затвором произвольной формы. Задачи о распределении потенциала в базе, высоте барьера для электронов и вольт-амперной характеристике в подпороговой области решены в квадратурах методом конформных отображений. Показано, что подпороговый ток jd для ТЭУ с нелегированной и слабо легированной базой зависит от потенциалов затвора Ug и стока Ud по закону ln jd propto - Ug(g-Ud/Ug)3/2 вне зависимости от типа проводимости, где g --- коэффициент блокирования. Если база сильно легирована акцепторами, то ln jd propto - (gUg-Ud)2, однако для транзисторов с электростатическим управлением с сильно легированной базой n-типа аналитическое решение задачи невозможно. В качестве примера подробно рассмотрен вариант глубокого скрытого затвора квазиэллиптической формы, соответствующий конфигурациям реальных приборов. В предельных случаях получены простые формулы для g и параметров вольт-амперных характеристик в зависимости от размеров ячейки ТЭУ, легирования базы и потенциала затвора.
  1. А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 32, 249 (1998)
  2. А.С. Кюрегян. ФТП, 32, 497 (1998)
  3. М.А. Лаврентьев, Б.В. Шабат. Методы теории функций комплексного переменного (М., Наука, 1987)
  4. B.J. Baliga. Modern power devices (Singapore, 1987) p. 132
  5. А.В. Горбатюк, И.В. Грехов. ФТП, 15, 1353 (1981)
  6. K.R. Spangenberg. Vacuum tube (McGraw-Hill Book Co., N. Y., 1949) p. 134

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.