"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока
Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1, Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Исследована стойкость туннельно-тонких (2/3 нм) пленок SiO2 к длительному протеканию токов высокой плотности (102/103 А/см2). Обнаружено резкое возрастание заряда, который туннельная МОП структура способна пропустить через себя без деградации при переходе от инжекции Фаулера--Нордгейма к прямому туннелированию (соответственно 103 Кл/см2 и 107 Кл/см2). Исследование деградации пленок SiO2 проводилось с использованием тиристорных структур Al/SiO2/n-Si/p+-Si при положительном смещении на полупроводнике, т. е. при обратном смещении МОП структуры. Это позволило обеспечить однородность распределения тока по площади, а также контролировать состояние диэлектрического слоя путем измерения усиления прибора в фототранзисторном режиме.
  • M. Depas, B. Vermeire, P.W. Mertens, M. Meeuris, M.M. Heyns. Semicond. Sci. Technol., 10, 753 (1995)
  • M. Depas, T. Nigam, M.M. Heyns. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43, 1449 (1996)
  • D.J. DiMaria. Appl. Phys. Let., 68, 3004 (1996)
  • D.J. DiMaria, E. Cartier, D. Arnold. J. Appl. Phys., 79, 3367 (1993)
  • D.J. DiMaria, D. Arnold, E. Cartier. Appl. Phys. Lett., 61, 2329 (1992)
  • H.S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, A. Nakamura, M. Saito, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43, 1233 (1996)
  • J.G. Simons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
  • I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, N.I. Vexler. Sol. St. Electron., 38, N 3, 1533 (1995)
  • T. Yoshimoto, K. Suzuki. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L180 (1993)
  • W.K. Choi, A.E. Owen. J. Appl. Phys., 68, 6447 (1990)
  • K.M. Chu, D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-35, 188 (1988)
  • S.V. Belov, I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Thin. Sol. Films, 294, 281 (1997)
  • Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28, 1314 (1994)
  • M.I. Vexler. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-42, 656 (1995)
  • K.R. Farmer, M.O. Andersson, O. Engstrom. Appl. Phys. Lett., 58, 2666 (1991)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  • W.A. Harrison. Phys. Rev., 123, 85 (1961)
  • L.A. Kasprzak, R.B. Laibowitz, M. Ohring. J. Appl. Phys., 48, 4281 (1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.