"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокие состояния в delta-легированном кремнием GaAs
Алешкин В.Я.1, Данильцев В.М.1, Мурель А.В.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Исследованы плотность глубоких состояний и сечения захвата на них электронов в delta-легированном кремнием GaAs с помощью измерений зависимостей от напряжения и температуры импеданса барьера Шоттки к структуре. Обнаружено, что при концентрации кремния в delta-слое более 6·1012 см-2 в запрещенной зоне появляются хвосты плотности состояний. В наших струтурах энергия, характеризующая глубину проникновения хвоста, изменялась в интервале 20/100 мэВ. Характерная величина сечения захвата электронов на глубокие состояния в delta-слоях была порядка 10-17 см2. Показано, что насыщение концентрации электронов в delta-слое с ростом концентрации Si обусловлено автокомпенсацией Si.
  1. C.E. Wood, G. Metze, J. Berry, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 51, 383 (1980)
  2. А.Я. Шик. ФТП, 26, 1161 (1992)
  3. E.F. Schubert, J.B. Stark, B. Ullrich, J.E. Cunningham. Appl. Phys. Lett., 52, 1508 (1988)
  4. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) гл. 11, с. 321
  5. K. Ploog, M. Hauser, A. Ficher. Appl. Phys. A, 45, 233 (1988)
  6. Y. Yamanchi, T. Makimoto, Y. Horikoshi. Japan. J. Appl. Phys., 28, L1689 (1986)
  7. E.F. Shubert, R.F. Korf, J.M. Kuo, H.S. Luftman, P.A. Garbinski. Appl. Phys. Lett., 57, 497 (1990)
  8. H.C. Nutt, R.S. Smith, M. Towers, P.K. Rees, D.J. James. J. Appl. Phys., 70, 821 (1991)
  9. A. Zrenner, F. Koch, R.L. Williams, R.A. Stradling, K. Ploog, G. Weimann. Semicond. Sci. Technol., 3, 1203 (1988)
  10. W.G. Oldham, S.S. Naik. Sol. St. Electron., 15, 1085 (1972)
  11. C. Ghezzi. Appl. Phys. A, 26, 191 (1982)
  12. В.Я. Алешкин. ФТП, 30, 2202 (1996)
  13. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990) гл. 6, с. 214
  14. В.М. Данильцев, И.В. Ирин, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Неорг. матер., 30, 1026 (1994)
  15. A.V. Buyanov, P.O. Holtz, W.M. Chen, B. Monemar, T.G. Anderson, J. Thordson. Appl. Phys. Lett., 68, 3464 (1996)
  16. B. Johnson, P.M. Koenraad, W.C. van der Vleuten, H.W.M. Saleminh, J.H. Wolter. Phys. Rev. Lett., 75, 1606 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.