"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристалла MnGaInS4 : Eu
Тагиев О.Б.1, Гашимова Т.Ш.1, Аскеров И.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 19 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Приводятся результаты исследования влияния сильного электрического поля на электрические свойства монокристаллов MnGaInS4 : Eu. Соединение получено методом Бриджмена и представляет собой плоскопараллельные слоистые пластинки. На основе проведенных исследований определены следующие параметры: концентрация ловушечных уровней 1013/1014 см-3, энергия активации 0.70/0.50 эВ. Установлено, что в сильных электрических полях возрастание электропроводности MnGaInS4 : Eu происходит в основном за счет роста концентрации носителей тока с ростом электрического поля.
  1. Э.Н. Нагаев. Физика магнитных полупроводников (М., Наука, 1979)
  2. C. Batistoni, L. Gastaldi, G. Mattogno, M.G. Simeone, S. Viticoli. Sol. St. Commun., 61, N 1, 43 (1987)
  3. Н.Н. Нифтиев, А.Г. Рустамов, О.Б. Тагиев. ФТП, 27, вып. 3, 386 (1993)
  4. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  5. Н.С. Грушко, Л.А. Герасименко, Т.И. Гоглидзе. В сб.: Физика полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Штиинца, 1992) с. 83
  6. Я.И. Френкель. ЖЭТФ, 8, вып. 12, 1292 (1938)
  7. Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Н.Н. Мусаева. ФТП, 29, вып. 8, 1403 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.