"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристалла MnGaInS4 : Eu
Тагиев О.Б.1, Гашимова Т.Ш.1, Аскеров И.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 19 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Приводятся результаты исследования влияния сильного электрического поля на электрические свойства монокристаллов MnGaInS4 : Eu. Соединение получено методом Бриджмена и представляет собой плоскопараллельные слоистые пластинки. На основе проведенных исследований определены следующие параметры: концентрация ловушечных уровней 1013/1014 см-3, энергия активации 0.70/0.50 эВ. Установлено, что в сильных электрических полях возрастание электропроводности MnGaInS4 : Eu происходит в основном за счет роста концентрации носителей тока с ростом электрического поля.
  • Э.Н. Нагаев. Физика магнитных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • C. Batistoni, L. Gastaldi, G. Mattogno, M.G. Simeone, S. Viticoli. Sol. St. Commun., 61, N 1, 43 (1987)
  • Н.Н. Нифтиев, А.Г. Рустамов, О.Б. Тагиев. ФТП, 27, вып. 3, 386 (1993)
  • А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  • Н.С. Грушко, Л.А. Герасименко, Т.И. Гоглидзе. В сб.: Физика полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Штиинца, 1992) с. 83
  • Я.И. Френкель. ЖЭТФ, 8, вып. 12, 1292 (1938)
  • Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Н.Н. Мусаева. ФТП, 29, вып. 8, 1403 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.