"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Процессы дефектообразования в кремнии, легированном марганцем и германием
Абдурахманов К.П.1, Утамурадова Ш.Б.1, Далиев Х.С.1, Таджи-Аглаева С.Г.1, Эргашев Р.М.1
1Научно-исследовательский институт прикладной физики им. Мирзо Улугбека, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 9 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние атомов Ge на поведение Mn в Si. Показано, что атомы Ge, введенные в Si в процессе выращивания, не проявляют электрической активности, хотя их концентрация достаточно высокая: 1016/ 1019 см-3. Установлено, что наличие атомов Ge в решетке Si приводит к увеличению эффективности образования глубоких уровней Ec-0.42 эВ и Ec-0.54 эВ, связанных с Mn в решетке Si: концентрация этих глубоких уровней в образцах Si<Ge, Mn> в 3--4 раза выше, чем в Si<Mn>. Обнаружено, что присутствие атомов Ge стабилизирует свойства уровней Mn в Si: их отжиг происходит в 5--6 раз медленнее, чем в Si<Mn>. Предполагается, что обнаруженные эффекты связаны с особенностями дефектной структуры Si, легированного Ge и Mn.
  • Э.М. Омельяновский, В.И. Фистуль. Примеси переходных металлов в полупроводниках (М., Металлургия, 1983)
  • Ю.М. Бабицкий и др. ФТП, 18, 1241 (1984)
  • М.Я. Дашевский и др. Неорг. матер., 24, вып. 9 (1988)
  • К.П. Абдурахманов, Ш.Б. Утамурадова и др. ФТП, 19, 213 (1985)
  • К.П. Абдурахманов, Р.Ф. Витман, Ш.Б. Утамурадова и др. ФТП, 23, 2227 (1989)
  • К.П. Абдурахманов, А.А. Лебедев и др. ФТП, 19, 1158 (1985)
  • А.А. Лебедев, К.П. Абдурахманов и др. В кн.: Свойства легированных полупроводниковых материалов (М., Наука, 1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.