"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Индентификация параметров примесных уровней в высокоомных полупроводниковых кристаллах с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов
Кашерининов П.Г.1, Матюхин Д.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Предложен метод идентификации параметров примесных уровней в высокоомных (изолирующих) полупроводниковых кристаллах, позволяющий с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов, определять одновременно глубину залегания примесных уровней в запрещенной зоне кристалла (Delta E) и устанавливать, от края какой из разрешенных зон следует отсчитывать найденную глубину залегания уровней, что не позволило широко распространненный обычный метод термостимулированных токов.
  • A.G. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (N. Y.--London, J. Wiley \& Sons, 1963).
  • В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевская. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (М., Сов. радио, 1974)
  • M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 349 (1974)
  • M.A. Green, V.A.K. Temple, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 18, 745 (1975)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 20, N 18, 16 (1994)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. ЖТФ, 65, N 9, 193 (1995)
  • А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9, 1761 (1975)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19, N 17, 48 (1993)
  • П.Г. Кашерининов, Д.Г. Матюхин, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 21, N 7, 44 (1995)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов. ФТП, 29, 2092 (1995)
  • G. Cavalleri, E. Gatti, G. Fabri, V. Svelto. Nucl. Instr. a. Meth., 92, 137 (1971)
  • G. Fabri, V. Svelto. Nucl. Instr. a. Meth., 35, 33 (1965)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.