"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Индентификация параметров примесных уровней в высокоомных полупроводниковых кристаллах с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов
Кашерининов П.Г.1, Матюхин Д.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Предложен метод идентификации параметров примесных уровней в высокоомных (изолирующих) полупроводниковых кристаллах, позволяющий с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов, определять одновременно глубину залегания примесных уровней в запрещенной зоне кристалла (Delta E) и устанавливать, от края какой из разрешенных зон следует отсчитывать найденную глубину залегания уровней, что не позволило широко распространненный обычный метод термостимулированных токов.
  1. A.G. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (N. Y.--London, J. Wiley \& Sons, 1963).
  2. В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевская. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (М., Сов. радио, 1974)
  3. M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 349 (1974)
  4. M.A. Green, V.A.K. Temple, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 18, 745 (1975)
  5. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 20, N 18, 16 (1994)
  6. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. ЖТФ, 65, N 9, 193 (1995)
  7. А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9, 1761 (1975)
  8. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19, N 17, 48 (1993)
  9. П.Г. Кашерининов, Д.Г. Матюхин, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 21, N 7, 44 (1995)
  10. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов. ФТП, 29, 2092 (1995)
  11. G. Cavalleri, E. Gatti, G. Fabri, V. Svelto. Nucl. Instr. a. Meth., 92, 137 (1971)
  12. G. Fabri, V. Svelto. Nucl. Instr. a. Meth., 35, 33 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.