Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-GaxIn1-xN/p-Si
Александров С.Е.1, Зыков В.А.1, Гаврикова Т.А.1, Красовицкий Д.М.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Разработана технология формирования гетероструктур n-GaxIn1-xN/p-Si, основанная на совместном пиролизе моноаммиакатов хлоридов галлия и индия, позволяющая получать гетерослои с составом, варьируемым в широких пределах (от GaN до InN). Определены состав и основные электрические и оптические характеристики нитридных пленок. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур с пленками GaxIn1-xN различного состава. Показано, что анизотипный гетеропереход n-GaxIn1-xN/p-Si является перспективным фоточувствительным элементом для детектирования излучения в видимой части спектрального диапазона. Максимальные значения удельной обнаружительной способности составили D*=1.2· 1011 Гц1/2·Вт-1см при 290 K. Построена зонная диаграмма гетероперехода.
- S. Strite, M.E. Lin, H. Marko c. Thin Solid. Films, 231, 197 (1993)
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett., 64, 1687 (1994)
- X.H. Yang, T.J. Schmidt, W. Shan, J.J. Song, B. Goldenberg. Appl. Phys. Lett., 66, 1 (1995)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975)
- A. Yamamoto, M. Tsujino, M. Ohkubo, A. Hashimoto. J. Cryst. Growth, 137, 415 (1994)
- T. Matsuoka, T. Sasaki, A. Katsui. Optoel. Dev. Tech., 5, 53 (1990)
- A. Wakahara, T. Tsuchiya. A. Yoshida. J. Cryst. Growth, 99, 385 (1990)
- W.E. Hoke. P.J. Lemonias, D.G. Weir. J. Cryst. Growth, 111, 1024 (1991)
- S. Strite, D. Chandrasekhar, D.J. Smith, J. Sariel, H. Chen, N. Teraguchi, H. Marko c. J. Cryst. Growth, 127, 204 (1993)
- T. Maruyama, T. Morishita. J. Appl. Phys., 76, 5809 (1994)
- Q. Guo, H. Ogawa, H. Yamano, A. Yoshida. Appl. Phys. Lett., 66, 715 (1995)
- K. Naniwae, Sh. Itoh, H. Amano, K. Hiramatsu, I. Akasaki. J. Cryst. Growth, 199, 381 (1990)
- O. Igarashi. Japan. J. Appl. Phys., Pt. 1, 31, 2665 (1992)
- Y. Sato, S.Sato. J. Cryst. Growth, 144, 15 (1994)
- С.Е. Александров, В.А. Крякин. А.с. СССР, N 1436762. Заявка N 4210081, 11.03.87
- А.В. Раков. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур (М., 1975)
- T. Nagamoto, O. Omoto. J. Phisique, IV C5, 1173 (1995)
- T.L. Tansley, C.P. Foley. J. Appl. Phys., 60, 2092 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук