Вышедшие номера
Непрямые электронные переходы в полупроводниках при рассеянии носителей заряда на дислокациях в квантующем магнитном поле
Казарян Э.М.1, Мхоян К.А.1
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 17 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Вычислен коэффициент поглощения света, обусловленный непрямыми электронными переходами в полупроводнике, находящемся в квантующем магнитном поле в предположении, что роль третьего тела играет краевая дислокация. Выявлены характерные для рассмотренного механизма зависимости коэффициента поглощения от частоты света и от величины магнитного поля.