Вышедшие номера
Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов в GaAs на спектры DLTS
Новиков В.А.1, Пешев В.В.1
1Cибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Сделана попытка связать происхождение U-полосы в спектре DLTS GaAs, облученного нейтронами импульсного реактора, с известными дефектами P2 и P3, локализованными вблизи областей разупорядочения. Полагалось, что форма и положение пиков P2 и P3 в спектрах DLTS изменены в результате влияния электрического поля областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с уровней дефектов. Выполнен расчет спектров DLTS для P2- и P3-центров, расположенных в областях с внутренними электрическими полями. Сопоставление суммарного расчетного спектра для P2- и P3-центров с U-полосой показало удовлетворительное согласие расчета с экспериментом.