"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние зарядового состояния дефектов на индуцированную светом кинетику фотопроводимости аморфного гидрированного кремния
Голикова О.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Проведены исследования фотопроводимости и плотности дефектов в пленках нелегированного a-Si : H под воздействием света (W=114 мВт / см2, lambda<0.9 мкм) в течение 5 ч. Показано, что sigmaph~ t-gamma и ND~ tbeta, причем gamma>beta или gamma~=beta в зависимости от положения уровня Ферми до засветки, т. е. в зависимости от зарядового состояния дефектов: D- и D0 или D+ и D0. Показано также, что на индуцированную светом кинетику sigmaph влияет переход дефектов в состояние D0 за счет соответствующего сдвига уровня Ферми при засветке.
  1. P. Tzanetakis, N. Kopidakis, M. Androulidaki, C. Kalpouzos, P. Stradins, H. Fritzsche. MRS Symp. Proc., 377, 245 (1995)
  2. C.M. Fortmann. R.M. Dawson, H.Y. Liu, C.R. Wronski. J. Appl. Phys., 76, 768 (1994)
  3. H.M. Branz, P.A. Fedders. MRS. Symp. Proc., 338, 129 (1994)
  4. F. Irrera. J. Appl. Phys., 75, 1396 (1994)
  5. D. Caputo, G. de Cesare, F. Irrera, F. Palma, M.C. Rossi, G. Conte, G. Nobile, G. Fameli. J. Non-Cryst., 170, 278 (1994)
  6. О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 29, 1128 (1995)
  7. О.А. Голикова. ФТП, 25, 1517 (1991)
  8. E. Sauvain, P. Pippoz, A. Shan, J. Hubin. J. Appl. Phys., 75, 1772 (1994)
  9. P. Morin, C. Godet, B. Equer, P. Roca i Cabarrocas. Proc. 12 th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Amsterdam, April 1994) 687
  10. M. Sturzmann, W.B. Jackson. Sol. St. Commun., 62, 153 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.