"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние метастабильных состояний на высвечивание экситонов в n-GaAs
Криволапчук В.В.1, Полетаев Н.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Исследовано затухание спонтанного излучения экситонов в n-GaAs в зависимости от температуры и интенсивности возбуждения. Впервые экспериментально обнаружено влияние метастабильного состояния, резонансного с зоной проводимости, на процесс высвечивания экситонов.
  1. D. Bimberg, H. Munzel, A. Steckenborn, J. Christen. Phys. Rev. B, 31, 7788 (1985)
  2. P.M. Mooney. J. Appl. Phys. 67, R1 (1990)
  3. T.N. Theis, P.M. Mooney, S.L. Wright. Phys. Rev. Lett. 60, 361 (1988)
  4. G. Brunhaler, K. Ploog, W. Juntsch. Phys. Rev. Lett., 63, 2276 (1989)
  5. А.В. Акимов, А.А. Каплянский, В.В. Криволапчук, Е.В. Москаленко. Письма ЖЭТФ, 46, 35 (1987)
  6. А.В. Акимов, В.В. Криволапчук, Н.К. Полетаев, В.Г. Шофман. ФТП, 27, 310 (1993)
  7. E.H. Bogardus, H.B. Bebb. Phys. Rev. 176, 993 (1968)
  8. Б.Л. Гельмонт, Н.Н. Зиновьев, Д.И. Ковалев, В.А. Харченко, И.Д. Ярошецкий, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 94, 332 (1988)
  9. C. Weisbuch. Sol. St. Electron. 21, 179 (1978)
  10. C.J. Hwang. Phys. Rev. B, 8, 646 (1973)
  11. А.Э. Васильев, Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров. ФТП, 23 804 (1989)
  12. C.J. Armistead, S.P. Najda, R.A. Stradling, J.C. Maan. Sol. St. Commun., 53, 1109 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.