Проявление флуктуаций света при реализации бистабильности распределения фотоносителей
Гудыма Ю.В.1, Никирса Д.Д.1
1Черновицкий государственный университет им. Ю.Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 5 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Рассматривается влияние флуктуаций света на индуцированную им бистабильность распределения фотоносителей. Бистабильность объясняется пороговым характером межзонных переходов и сужением запрещенной зоны полупроводника с ростом концентрации фотоносителей. Вычислены стационарная плотность вероятности состояний и математическое ожидание времени перехода между состояниями. Показано, что внешний шум индуцирует сильнопоглощающее состояние полупроводника ниже критического значения интенсивности падающего излучения и подавляет стационарные состояния выше этого значения.
- M. Wegener, C. Klingshirn, S.W. Koch, L. Banyai. Semicond. Sci. Technol., 1, 366 (1986)
- В.А. Кочелап, Л.Ю. Мельников, В.Н. Соколов. ФТП, 16, 1167 (1982)
- F. Henneberger. Phys. St. Sol. (b), 137, 371 (1986)
- Г.М. Гиббс. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света (М., Мир, 1988). [Пер. с англ.: H.M. Gibbs. Optical Bistability: Controlling Light with Light (Orlando, Academic Press, 1985)]
- Н.Г. Ван Кампен. Стохастические процессы в физике и химии (М., Высш. шк., 1990). [Пер с англ.: N.G. Van Kampen. Stochastic Processes in Physics and Chemistry (Amsterdam, North-Holland, 1984)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук