"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Проявление флуктуаций света при реализации бистабильности распределения фотоносителей
Гудыма Ю.В.1, Никирса Д.Д.1
1Черновицкий государственный университет им. Ю.Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 5 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Рассматривается влияние флуктуаций света на индуцированную им бистабильность распределения фотоносителей. Бистабильность объясняется пороговым характером межзонных переходов и сужением запрещенной зоны полупроводника с ростом концентрации фотоносителей. Вычислены стационарная плотность вероятности состояний и математическое ожидание времени перехода между состояниями. Показано, что внешний шум индуцирует сильнопоглощающее состояние полупроводника ниже критического значения интенсивности падающего излучения и подавляет стационарные состояния выше этого значения.
  1. M. Wegener, C. Klingshirn, S.W. Koch, L. Banyai. Semicond. Sci. Technol., 1, 366 (1986)
  2. В.А. Кочелап, Л.Ю. Мельников, В.Н. Соколов. ФТП, 16, 1167 (1982)
  3. F. Henneberger. Phys. St. Sol. (b), 137, 371 (1986)
  4. Г.М. Гиббс. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света (М., Мир, 1988). [Пер. с англ.: H.M. Gibbs. Optical Bistability: Controlling Light with Light (Orlando, Academic Press, 1985)]
  5. Н.Г. Ван Кампен. Стохастические процессы в физике и химии (М., Высш. шк., 1990). [Пер с англ.: N.G. Van Kampen. Stochastic Processes in Physics and Chemistry (Amsterdam, North-Holland, 1984)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.