"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Межзонное поглощение длинноволнового излучения в delta-легированных сверхрешетках на основе монокристаллических широкозонных полупроводников
Осипов В.В.1, Селяков А.Ю.1, Foygel M.2
1Государственный научный центр Российской Федерации "Орион", Москва, Россия
2South Dakota School of Mines and Technology, Rapid City, SD--, USA
Поступила в редакцию: 22 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Предложена сверхрешетка нового типа, которая формируется в монокристаллическом широкозонном невырожденном полупроводнике последовательностью пар близко расположенных донорных и акцепторных delta-легированных слоев. Показано, что благодаря сверхсильным электрическим полям, образующимся между этими delta-легированными слоями, коэффициент электропоглощения длинноволнового излучения определяется туннельными оптическими переходами электронов из зоны тяжелых дырок (в отличие от случая не слишком сильных полей, когда электропоглощение определяется легкими дырками); при этом его величина близка к коэффициенту межзонного поглощения света и слабо зависит от энергии кванта вплоть до дальнего инфракрасного диапазона. Найдено, что в предложенной сверхрешетке на основе InSb коэффициент поглощения в областях сверхсильного поля может превышать 103 см-1 вплоть до длин волн излучения, примерно равных 50/ 100 мкм. Отмечается, что, благодаря пространственному разделению фотогенерируемых электронов и дырок, время их жизни и фоточувствительность такой сверхрешетки в длинноволновой области могут иметь гигантские значения.
  • B.F. Levin. J. Appl. Phys., 74, R1 (1993)
  • R. People, J.C. Bean, C.G. Bathea, S.K. Sputz, L.J. Peticolas. Appl. Phys. Lett., 61, 1122 (1992)
  • Delta-Doping of Semiconductors, ed. by E.F. Schubert (Cambrige, Cambrige University Press, 1996)
  • G.H. Dohler. Phys. St. Sol. (b), 52, 79 (1972)
  • G.H. Dohler. Phys. St. Sol. (b), 52, 553 (1972)
  • D.G. Liu, J.C. Fan, C.P. Lee, K.H. Chang, D.C. Liou. J. Appl. Phys., 73, 608 (1993)
  • А.И. Никифоров, Б.З. Кантер, С.И. Стенин, С.В. Рубанов. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 10--11, 95 (1992)
  • J.S. Park, R.P.G. Karunasiri, Y.J. Mii, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 58, 1083 (1991)
  • H.L. Vaghjiani, E.A. Johnson, M.E. Kane, R. Grey, C.C. Phillips. J. Appl. Phys., 76, 4407 (1994)
  • E.F. Shubert, A. Fisher, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 47, 219 (1985)
  • A.M. Glass, E.F. Shubert, B.A. Wilson, C.E. Bonner, J.E. Cunningham, D.H. Olson, W. Jan. Appl. Phys. Lett., 54, 2247 (1989)
  • M. Toivonen, A. Salokatve, M. Hovinen, M. Pessa. Electron. Lett., 28, 32 (1992)
  • Yang Wang, K.F. Brennan. SPIE, 1982, 133 (1993)
  • C.C. Phillips. Appl. Phys. Lett., 56, 151 (1990)
  • J. Heremans, D.L. Partin, D.T. Morelly, C.M. Thrush, G. Karczewski, J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 74, 1793 (1993)
  • M.-J. Yang, W.J. Moore, R.J. Wagner, J.R. Waterman, C.H. Yang, P.E. Thompson, J.L. Davis. J. Appl. Phys., 72, 671 (1992)
  • P.E. Thompson, J.L. Davis, M.-J. Yang, D.S. Simons, P.H. Chi. J. Appl. Phys., 74, 6686 (1993)
  • В.В. Осипов, Ф.Л. Серженко, В.Д. Шадрин. ФТП, 23, 809 (1989)
  • K.C. Hass, D.J. Kirill. J. Appl. Phys., 68, 1923 (1990)
  • Ф.Л. Серженко, В.Д. Шадрин. ФТП, 25, 1579 (1991)
  • Ф.Л. Серженко, В.Д. Шадрин. ФТП, 26, 491 (1992)
  • Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов, В.А. Холоднов. ФТП, 14, 939 (1980)
  • Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 14, 1186 (1980)
  • Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. Микроэлектроника, 9, 99 (1980)
  • Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 15, 1068 (1981)
  • C. Martijn de Sterke. J. Appl. Phys., 64, 3187 (1988)
  • P.P. Ruden, C.A. Marttila, T. Werner, J.E. Carroll. J. Appl. Phys., 66, 956 (1989)
  • J. Maserjian, F.J. Grunthaner, C.T. Elliott. Infr. Phys., 30, 27 (1990)
  • W. Franz. Zs. Naturforsch, 13a, 484 (1958)
  • Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 34, 1138 (1958)
  • J. Callaway. Phys. Rev., 130, 549 (1963)
  • K. Tharmalingam. Phys. Rev., 130, 2204 (1963)
  • А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
  • Оптические свойства полупроводников, под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира (М., Мир, 1970)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.