"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором
Белоушкин А.А.1, Ефимов Ю.А.1, Игнатьев А.С.1, Карузский А.Л.1, Мурзин В.Н.1, Пересторонин А.В.1, Расулова Г.К.1, Цховребов А.М.1, Чижевский Е.Г.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 21 декабря 1997 г.

Впервые исследована генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре на основе гетеропереходов GaAs/AlAs, стабилизированная микрополосковым резонатором. Изготовленные структуры содержат приконтактные слои (спейсеры), препятствующие проникновению примесей в активную часть структуры и улучшающие временные характеристики системы. Микрополосковые контакты из сплава AuNiGe, связывающие структуру с внешней высокочастотной цепью, изготовлены в планарном исполнении, позволяющем минимизировать время задержки RC в области отрицательной дифференциальной проводимости благодаря уменьшению последовательного сопротивления и емкости структуры. Обнаружено сложное поведение отрицательной дифференциальной проводимости, обусловленное влиянием пространственного заряда в структурах со слоями-спейсерами.
  • E.R. Brown, T.C.L.G. Sollner, C.D. Parker, W.D. Goodhue, C.L. Chen. Appl. Phys. Lett., 55, 1777 (1989)
  • E.R. Brown, J.R. Soderstrom, C.D. Parker, L.J. Mahoney, K.M. Molvar, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett., 58, 2291 (1991)
  • A.A. Gorbatchev, V.M. Koltyzhenkov. Proc. of Intern. Workshop on Physics and Modelling of Low-Dimensional Structures Based Devices (Aizu, Japan, 1995) p. 68.
  • W.S. Truscott. Sol. St. Electron., 37, 1235 (1994)
  • H.G. Roskos, M.C. Nuss, J. Shah, K. Leo, D.A.B. Miller, A.M. Fox, S. Schmitt-Rink, K. Kohler. Phys. Rev. Lett., 68, 2216 (1992)
  • E.R. Brown, C.D. Parker, A.R. Calawa, M.J. Manfra. Appl. Phys. Lett., 62, 3016 (1993)
  • A.A. Belouskkin, E.G. Chizhevskii, Yu.A. Efimov, A.S. Ignatyev, A.L. Karuzskii, V.N. Murzin, A.V. Perestoronin, G.K. Rasulova, A.M. Tskhovrebov. In: Abstracs of Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology" (St.Petersburg, Russia, May--Yune 1995) p. 431
  • S. Muto, T. Inata, H. Ohnishi, N. Yokoyama, S. Hiamizu. Japan. J. Appl. Phys., 25, 577 (1986).
  • А.С. Игнатьев, В.Е. Каминский, В.Б. Копылов, В.Г. Мокеров, Г.З. Немцев, С.С. Шмелев, В.С. Шубин. ФТП, 26, 1795 (1992)
  • А.С. Игнатьев, А.В. Каменев, В.Б. Копылов, Д.В. Посвинский. ФТП, 27, 769 (1993)
  • F. Laruelle, G. Faini. Sol. St. Electron., 37, 987 (1994)
  • С.А. Стоклицкий, В.Н. Мурзин, Ю.А. Митягин, В.И. Кадушкин, Ю.А. Ефимов, Г.К. Расулова. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 9--10, 10 (1994)
  • А.В. Квит, А.Л. Карузский, В.Н. Мурзин, А.В. Пересторонин. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 9--10, 3 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.