Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1997, выпуск 11 » Статья стр. 1387
<<<>>>
Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC
Данишевский А.М.1, Рогачев А.Ю.1, Шуман В.Б.1, Гук Е.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.
PDF версия
Обнаружена поляризация и поляризационная память импульсной фотолюминесценции на пористых слоях, полученных на микрокристаллических пленках кубического SiC, осажденных на кремниевые подложки. Пористый слой подвергнут электрохимическому окислению. Предложена качественная модель, поясняющая механизм возникновения поляризации фотолюминесценции при линейно поляризованном возбуждении.
  1. А.В. Андрианов, Д.И. Ковалев, Н.Н. Зиновьев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖЭТФ, 58(6), 417 (1993)
  2. A.V. Andrianov, D.I. Kovalev, I.D. Yaroshetskii. Phys. Sol. St., 35, 1323 (1993)
  3. D. Kovalev, M. Ben Chorin, J. Diener, F. Koch, Al.L. Efros, M. Rosen, M.A. Gippius, S.G. Tikhodeev. Appl. Phys. Lett., 67, 1585 (1995)
  4. H. Koyama, N. Koshida. Phys. Rev. B, 52, 2649 (1995)
  5. V. Masumoto, H. Kunitomo, S. Shinoya, H. Munekata, H. Kukimoto. Sol. St. Commun., 51, 209 (1984)
  6. Rusla, Gehan A.J. Amaratunga, J. Robertson. Phys. Rev. B, 53, 16306 (1996)
  7. K. Murayama, M.A. Bosch. Phys. Rev. B, 25, 6542 (1982)
  8. В.И. Земский, Б.П. Захарченя, Д.М. Мирлин. Письма ЖЭТФ, 24(2), 96 (1976)
  9. T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futaki, H. Mimura, Y. Kanemitsu. Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994)
  10. A.O. Konstantinov, C.I. Harris, E. Yanzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2699 (1994)
  11. J.S. Shor, L. Bemis, A.D. Kurtz, M. Mcmillan, W.J. Choyke, I. Grimberg, B.Z. Weiss. In: Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spenscer et al. Inst. Phys. Conf. (IOP, Bristol, 1993) Ser. N 137. p. 193
  12. А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 21(3), 64 (1995)
  13. A.O.Konstantinov, A. Henry, C.I. Harris, E. Yanzen. Appl. Phys. Lett., 66, 2250 (1995)
  14. А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, П.А. Иванов. ФТП, 29, 2122 (1995)
  15. А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, Е.Г. Гук, П.А. Иванов, А.А. Мальцев. ФТП, 30, 1064 (1996)
  16. А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук, А.Ю. Рогачев. ФТП, 31, 420 (1997)
  17. A. Bsiesy et al. Surf. Sci., 254, 195 (1991)
  18. S. Komuro, T. Kato, T. Morikava. J. Appl. Phys., 80, 1749 (1996)
  19. F. Koch. Тез. докл. 2-й Рос. конф. по физике полупроводников (СПб.-Зеленогорск, 1996) p. 118
  20. P. Basmaji, V.S. Bagnato, V. Grivickas, G.I. Surdotovich, R. Vitlina. Thin Sol. Films, 223, 131 (1993)
  21. A.G. Cullis, L.T. Canham, G.H. Williams, P.W. Smith, O.D. Dosser. MRS Proc., 283, 257 (1993)
  22. O. Teschke, F. Alvarez, L. Tessler, M.U. Kleinke. Appl. Phys. Lett., 63, 1927 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme