Вышедшие номера
Молекулярный эффект при имплантации легких ионов в полупроводники
Аброян И.А.1, Никулина Л.М.1
1Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Исследовано накопление структурных дефектов в Si при имплантации одноатомных и двуатомных ионов азота в эквивалентных условиях, т. е. при одинаковых энергиях в расчете на атом, и плотностях потоков атомов. Молекулярный эффект в накоплении дефектов наблюдался лишь при таких дозах, когда степень повреждения решетки кристалла превышала 0.15. В этих условиях ион N+2 создавал такое же число устойчивых дефектов, как 6 ионов N+1. В наших экспериментах (30 кэВ для потока N+1 и 60 кэВ для N+2 при комнатной температуре) дозы аморфизации равны 3.75· 1015 и 1.25· 1015 ион/см2 для N+1 и N+2 соответственно.