Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Нестационарный фотоэффект в высокоомных чистых сильно смещенных структурах металл--полупроводник и металл--диэлектрик--полупроводник
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 26 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
Исследована динамика установления электрического поля и тока при освещении высокоомной слабо легированной (чистой) сильно смещенной симметричной структуры металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник монохроматическим собственным светом. Численно решалась система транспортных уравнений в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнение Пуассона. На границах полупроводника учтена эмиссия носителей и их поверхностная рекомбинация. Показано, что при включении (выключении) освещения поле в структуре монотонно релаксирует к стационарному распределению. Время установления поля и тока при включении освещения примерно равно времени дрейфа для дырок tdr, рассчитанному по среднему полю Ee=V/d, и не зависит от интенсивности света Ii, коэффициента поглощения и туннельной прозрачности границ раздела Tn, p. Время восстановления темнового тока и поля при выключении света увеличивается с увеличением Ii и уменьшением Tn, p, однако остается порядка tdr. При сильном поглощении и интенсивности, превышающей характерный масштаб, определяющий область слабого экранирования поля, зависимость полного тока от времени немонотонна. При заполнении ловушек на поверхности вблизи электродов начинается аккумуляция носителей, что при достаточно больших Ii и низких Tn, p приводит к скачку поля у анода.
- Е.Н. Аркадьева, Л.В. Маслова, О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев, С.М. Рывкин, А.Х. Хусаинов. ДАН СССР, 221, 77 (1975)
- П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, Ю.Н. Перепелицин, Ю.О. Семенов, И.Д. Ярошецкий. Электросвязь, N 10, 37 (1990)
- П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов. ФТП, 29, 2092 (1995)
- П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
- Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 27, 1262 (1993)
- Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 31, 23 (1997)
- B.I. Reznikov, G.V. Tsarenkov. In: Proc. Fourth Int. Seminar on Simulation of Devices and Technologies (CEFIM--University of Pretoria, 1995) p. 58
- М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации (Л., Наука, 1983)
- В.Н. Астратов, А.В. Ильинский, В.А. Киселев. ФТТ, 26, 2843 (1984)
- В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, Ю.К. Кузьмин. ФТТ, 28, 2728 (1986)
- А.С. Фурман. ФТП, 22, 2138 (1988)
- В.Н. Астратов, А.В. Ильинский. Препринт N 1091 (Л., ФТИ, 1986)
- А.И. Руденко. ФТП, 5, 2383 (1971)
- Н.В. Климова. Микроэлектроника, 10, N 5, 457 (1981)
- Н.А. Кудряшов, С.С. Кучеренко, Ю.И. Сыцько. Мат. моделирование, 1, N 12, 1 (1989)
- A.E. Iverson, D.L. Smith. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-34, 2098 (1987)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 25, 1922 (1991)
- J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
- D.L. Scharfetter, H.K. Gummel. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-16, 64 (1969)
- А.А. Самарский. Введение в теорию разностных схем (М., Наука, 1971)
- И.Т. Овчинников, Э.В. Яншин. Письма ЖТФ, 8, 355 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
