Влияние электрического поля на релаксацию фотопроводимости в кристаллах n-Hg0.8Cd0.2Te
Вирт И.С.1
1Дрогобычский государственный педагогический институт им.И.Франко, Дрогобыч, Украина
Поступила в редакцию: 24 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
Исследовано влияние тянущего электрического поля на релаксационные кривые фотопроводимости кристаллов n-Hg0.8Cd0.2Te. Показано, что с увеличением напряженности поля время релаксации медленной компоненты возрастает, а быстрой уменьшается. Уменьшается также и вклад медленной компоненты. Такое поведение затухания фотопроводимости связывается с изменением изгиба энергетических зон в области макродефектов в присутствии электрического поля и с изменением подвода к ним неравновесных носителей заряда.
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
- А.И. Власенко, А.В. Любченко. ФТП, 28, 1219 (1994)
- V.S. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 44, 824 (1993)
- А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский, А.А. Корнияш, В.А. Петряков. ФТП, 18, 201 (1984)
- В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областью пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук