Обнаружен фототок в структуре GaAs / GaAlAs с тремя асимметричными квантовыми ямами в магнитном поле H, параллельном поверхности образца, при облучении его квазинепрерывным лазером с lambda=1.065 мкм. Ток протекает в плоскости слоев перпендикулярно магнитному полю. Его величина возрастает с ростом H, при коммутации магнитного поля знак фототока изменяется. Эффект объяснен на основании модели о несимметричной структуре электронных волновых функций в магнитом поле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.