Вышедшие номера
Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах
Сукач Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 31 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Экспериментально обнаружено перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах, подвергнутых мощному облучению сильно поглощаемым излучением лазера. Показано, что причиной такого явления служат преимущественно диффузионные потоки ионов цинка из p- в n- область, которые проявляются в полях термоупругих напряжений, обусловленных значительными градиентами температуры. Установлены зависимости величин перемещения p-n-перехода от параметров лазерного облучения.
  1. Э.Л. Савин, Б.И. Болтакс. ФТП, 5, 1331 (1971)
  2. Б.И. Болтакс, С.М. Городецкий, Т.Д. Джафаров, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТТ. 13, 3420 (1971)
  3. Г.А. Сукач. ФТП, 27, 697 (1993)
  4. А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
  5. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  6. М.М. Артамонов, Е.Н. Вигдорович, В.А. Федоров. Электрон. техн. Материалы, вып. 8, 63 (1977)
  7. Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
  8. И.Б. Пузин. ПТЭ, N 4, 155 (1983)
  9. Л.Н. Лариков, В.М. Фальченко, В.Ф. Мазанко, С.М. Гуревич, Г.К. Харченко, А.И. Игнатенко. ДАН СССР, 221, 1073 (1976)
  10. Дж. Эшебли. Континуальная теория дислокаций (М., ИЛ, 1963)
  11. В.П. Воронков, Г.А. Гурченок. ФТП, 24, 1831 (1990)
  12. В.И. Фистуль, А.М. Павлов. ФТП, 17, 854 (1983)
  13. С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения A3B5. Справочник (М., Металлургия, 1984)
  14. А.Л. Захаров, Е.И. Асвадурова. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.