Вышедшие номера
Влияние примесного германия на свойства центров серы в кремнии
Юнусов М.С.1, Каримов М.1, Оксенгендлер Б.Л.1, Юсупов А.1
1Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Исследовано влияние атомов германия в n-Si <P, Ge, S> на параметры центров серы. Обнаружено увеличение концентрации некоторых центров, связанных с атомами S, и небольшое смещение их локальных уровней. Обнаруженные эффекты объясняются влиянием упругих деформаций, вызванных присутствием Ge в узлах кристаллической решетки кремния, на межузельную конфигурацию S. Упругая деформация индуцирует эффект вибронного усиления в таких ян-теллеровских центрах.
  1. М.К. Бахадырханов, Ф.М. Талипов, У.С. Джурабеков. Письма ЖТФ, 16, 77 (1990)
  2. Ф.М. Талипов, Р. Хамидов. Письма ЖТФ, 19, 23 (1993)
  3. В.Г. Голубев, В.В. Емцев, П.М. Клингер, Г.И. Кропотов, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 26, 574 (1992)
  4. В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков, А.Р. Салманов, А.В. Цикунов. ФТП, 23, 1492 (1989)
  5. М.Я. Дашевский, Д.Н. Корляков, Е.А. Ладыгин, А.М. Мусалитин, Б.А. Шилин. ФТП, 24, 2073 (1990)
  6. Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, В.К. Шинкаренко, Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТП, 21, 562 (1987)
  7. G.D. Watkins. Trans. IEEE, NS-16, 13 (1969)
  8. R.O. Carlson, R.N. Hall, M. Pell. J. Phys. Chem. Sol., 8, 81 (1959)
  9. C.W. Ludwig. Phys. Rev., 137, A1520 (1965)
  10. W.E. Krag, W.H. Kleiner, H.J. Zeiger, S. Fischler. J. Phys. Soc. Japan, Suppl. 21, 230 (1966)
  11. D.L. Camphausen, H.M. James, R.J. Sladek. Phys. Rev. B, 2, 1899 (1970)
  12. L.L. Rosier, C.T. Sah. Sol. St. Electron., 14, 41 (1941)
  13. М.С. Юнусов, Ш. Махкамов, М. Каримов. ФТП, 10, 1015 (1976)
  14. М.С. Юнусов, М. Каримов, Н.А. Турсунов. Радиационно-активируемые процессы в кремнии (Ташкент, Фан, 1977) с. 146
  15. А.А. Лебедев, А.А. Лебедев. ФТП, 17, 2152 (1983)
  16. H.G. Grimmeiss, M. Kleverman. J. Phys. Chem. Sol., 49, 615 (1988)
  17. G. Pensl, G. Roos, C. Holm, P. Wagner. Defects in Semiconductors, ed. by H.J. van Bardeleben. (Mater. Sci. Forum., v. 10--12, 1986) p. 911
  18. М.С. Юнусов, М. Каримов, Р.Х. Кочкаров, А.А. Каримов. ДАН УзР, 6, 22 (1991)
  19. Е.В. Соловьева, М.Г. Мильвидский. ФТП, 17, 2022 (1983)
  20. И.Б. Берсукер. Электронное строение и свойства координационных соединений (М., Мир, 1986)
  21. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  22. М.С. Саидов, А. Юсупов, И.Г. Атабаев. В кн.: Тез. докл. II Всес. совещ. по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980) с. 118
  23. Ш.Б. Утамурадова, Т.А. Умаров, В.Э. Рафикова, Р.М. Эргашев. В кн.: Современные проблемы физики полупроводников и диэлектриков (Ташкент, Фан, 1995) с. 87
  24. G.G. DeLeo, G. Watkins, W. Fowler. Phys. Rev. B, 37, 1013 (1988)
  25. S. Pantelides, W. Harrison, F. Yndurian. Phys. Rev. B, 34, 6038 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.