Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1997, выпуск 6 » Статья стр. 653
<<<>>>
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
Андреев И.А.1, Куницына Е.В.1, Лантратов В.М.1, Львова Т.В.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
PDF версия
Антимонид галлия и его твердые растворы широко применяются для создания оптоэлектронных приборов для спектрального диапазона 2/5 мкм. Однако высокая химическая активность поверхности приводит к высокой скорости роста собственного окисла и к деградации характеристик приборов на основе этих материалов. Нами проведено исследование пассивации поверхности GaSb и четверных соединений GaInAsSb и GaAlAsSb на его основе в водных растворах Na2S и (NH4)2S. Обнаружено, что при обработке в водных сульфидных растворах таких полупроводниковых материалов присутствует фаза травления. Нами изучено воздействие процесса обработки (тип и молярность раствора, продолжительность обработки) на скорость травления исследованных материалов. Основываясь на полученных результатах, мы определили оптимальные технологические условия пассивации фотодиодных меза-структур на основе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb и было получено значительное снижение (в 5/ 10 раз) величины обратного темнового тока.
  1. A.M. Green, W.F. Spicer. Vac. Sci. Technol. A, 11, 1061 (1993)
  2. V.L. Berkovits, V.N. Bessolov, T.V. L'vova, E.B. Novikov, V.I. Safarov, R.V. Khasieva, B.V. Tsarenkov. J. Appl. Phys., 70, 3707 (1991)
  3. T. Ohno, K. Shiraishi. Phys. Rev. B, 42, 11 194 (1990)
  4. C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  5. A.G. Milnes, A.Y. Polyakov. Sol. St. Electron., 36, 803 (1993)
  6. T.K. Paul, D.M. Bose. J. Appl. Phys., 70, 7387 (1991)
  7. H. Oigawa, J.F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Japan. Appl. Phys., 30, L322 (1991)
  8. Yu.A. Kudryavtsev, E.B. Novikov, N.M. Stus, E.A. Chaikina. Sov. Phys. Semicond, 26, 975 (1992)
  9. Z.H. Lu, X.H. Feng, B.X. Yang. Appl. Phys. Lett., 62, 2932 (1993)
  10. A.Y. Polyakov, M. Stam, A.G. Milnes, A.E. Bochkarev, S.J. Peatron. J. Appl. Phys., 71, 4411 (1992)
  11. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
  12. I.A. Andreev, M.A. Afrailov, A.N. Baranov, V.G. Danil'chenko, M.A. Mirsagatov, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. Sov. Techn. Phys. Lett., 12, 542 (1986)
  13. I.A. Andreev, M.A. Afrailov, A.N. Baranov, M.A. Mirsagatov, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. Sov. Techn. Phys. Lett., 14, 435 (1988)
  14. I.A. Andreev, M.A. Afrailov, A.N. Baranov, S.G. Konnikov, M.A. Mirsagatov, M.P. Mikhailova, O.V. Salata, V.E. Umansky, G.M. Filaretova, Yu.P. Yakovlev. Sov. Techn. Phys. Lett., 15, 71 (1989)
  15. V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, G.A. Shakiashvili, V.P. Ulin, D. Paget. Semiconductors, 28, 260 (1994)
  16. J.-W. Seo, T. Koker, S. Agarwala, I. Adesida. Appl. Phys. Lett., 60, 1114 (1992)
  17. V.L. Berkovits, A.O. Gusev, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, D. Paget, A.B. Pushnyi, V.P. Ulin. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 293 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme