Осцилляции баллистического тока дырок через одноосно-сжатые полупроводниковые слои
Вагидов Н.З.1, Грибников З.С.1, Коршак А.Н.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.
Теоретически рассмотрены колебания баллистического тока дырок через тонкую базу p+pp+-диода, одноосно-сжатую в направлении тока. Вследствие сжатия закон дисперсии дырок содержит участок с отрицательной эффективной массой вдоль указанного направления. Причиной токовых колебаний является неустойчивость стационарного распределения баллистических носителей тока, содержащего обширную квазинейтральную плазменную область, в которой подвижная компонента зарядов как раз и представлена дрейфующими носителями с отрицательной эффективной массой. Во многих случаях токовые колебания имеют гармоничный характер, причем их частота определяется длиной базы и напряжением, составляя сотни ГГц для длинных (~ 1 мкм) слабо легированных баз и несколько ТГц для коротких (<0.1 мкм) сильно легированных баз. Найдены критерии квазиклассического подхода к задаче, который был применен при численном моделировании колебательных процессов, описанных здесь. Этот подход оказывается обоснованным, если инжектированные баллистически носители распределены в достаточно широкой полосе поперечных импульсов.
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- Н.З. Вагидов, З.С. Грибников, А.Н. Коршак. Письма ЖЭТФ, 61, 38 (1995)
- Н.З. Вагидов, З.С. Грибников, А.Н. Коршак. ФТП, 29, 1944 (1995).
- N.Z. Vagidov, Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak. In: Hot Carriers in Semiconductors, ed. by K. Hess, J.-P. Leburton, U. Ravaioli (N. Y., Plenum Press, 1995)
- A.N. Korshak, Z.S. Gribnikov, N.Z. Vagidov. In: Hot Carriers in Semiconductors, ed. by K. Hess, J.-P. Leburton, U. Ravaioli (N. Y., Plenum Press, 1995).
- Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak, N.Z. Vagidov. Lithuanian J. Phys., 35, 495 (1995). Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak, N.Z. Vagidov, V.V. Mitin. Proc. 1995 Int. Semicond. Dev. Research. Symp. (Charlottesville, 1995) p. 451
- Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak, N.Z. Vagidov. J. Appl. Phys
- J.M. Luttinger. Phys. Rev., 102, 1030 (1956)
- M. Heiblum, K. Seo, H.P. Meier, T.W. Hickmott. Phys. Rev. Lett., 60, 828 (1988)
- З.С. Грибников, А.Н. Коршак. ФТП, 28, 1445 (1994).
- Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak. In.: Quantum Confinement. Physics and Application (San-Francisko, Electrochem. Soc. Inc., 1994) p. 34.
- В.Я. Алешкин, Ю.А. Романов. ЖЭТФ, 87, 1857 (1984)
- В.Я. Алешкин, Ю.А. Романов. ФТП, 20, 281 (1986)
- A. Dargys, A.F. Rudolph. Phys. St. Sol. (b), 135, 437 (1986)
- A. Dargys, A.F. Rudolph. Phys. St. Sol. (b), 140, 535 (1987)
- A. Dargys. Phys. St. Sol. (b), 143, 675 (1987)
- J.-B. Xia. Phys. Rev. B, 38, 8365 (1988)
- D. Ahn, S.-L. Chuang. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 2400 (1988)
- S.-L. Chuang. Phys. Rev. B, 40, 10379 (1989)
- C.Y.-P. Chao, S.-L. Chuang. Phys. Rev. B, 43, 7027 (1991)
- J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev., 97, 869 (1955)
- D.A. Broido, L.J. Sham. Phys. Rev. B, 31, 888 (1985)
- A. Twardowski, C. Herman. Phys. Rev. B, 35, 8144 (1987)
- G. Shechter, L.D. Shvartsman, J.E. Golub. Phys. Rev. B, 51, 10857 (1995)
- В.И. Рыжий, Н.А. Баннов, В.А. Федирко. ФТП, 18, 769 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук