Построена теория частотной зависимости низкотемпературной прыжковой фотопроводимости, возникающей под действием инфракрасного света в системе с локализованными состояниями (ЛС) вблизи уровня Ферми, например в аморфном полупроводнике. Большинство поглощающих свет близких пар ЛС не дает вклада в фотопроводимость, так как электрон и дырка рекомбинируют, не покидая такой пары. Показано, что фотопроводимость обусловлена лишь редкими поглощающими свет парами, которые обладают цепочками ЛС, позволяющими электрону и дырке разойтись на большое расстояние. Такую пару можно представить себе как фотоэлемент с "проводами", в то время как типичная поглощающая жара проводов лишена.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.