Методом DLTS исследованы профили распределения концентрации A-, E-центров в базе p⁺-n-структур и структур с барьером Шоттки (Au-n-Si). При создании радиационных дефектов использовалось импульсное облучение электронами. К структурам прикладывалось постоянное либо импульсное обратное смещение различной длительности t_имп и с различными значениями времени задержки импульса напряжения t_з относительно импульса электронов. Экспериментально установлено, что эффект уменьшения концентрации вакансионных: дефектов в ОПЗ наблюдается при t_з=<sssim10^-3 с; t_имп~12 мкс достаточно для формирования профиля концентрации A-центров в ОПЗ при T_0бл=78 K; распределение концентрации A-, E-центров по глубине в базе p⁺-n-структур аналогично; эффект уменьшения концентрации A-центров в ОПЗ для образцов с высоким удельным сопротивлением (rho= 140 Ом·см) не проявляется при T_обл=300 K, но имеет место при T_обл=78 K. Сделан вывод, что при построении модели процессов радиационного дефектообразования в сильных электрических полях необходимо учитывать изменение констант скоростей реакций аннигиляции и комплексообразования вакансий при изменении их зарядового состояния. Дрейф положительно заряженных вакансий из ОПЗ диодных структур (L_др>~= 1 мкм) не является доминирующим механизмом уменьшения концентрации вакансионных комплексов в ОПЗ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.