В диапазоне температур 80/350 K измерены спектры оптического пропускания однородных специально не легированных монокристаллов AgGaTe₂, выращенных направленной кристаллизацией расплава с составом, близким к стехиометрическому составу соединения. При 300 K концентрация дырок составляет (1/5)·10¹³ см^-3, а их подвижность - 5/8 см²/В·с. Анализ спектров краевого поглощения в естественном излучении показывает, что AgGaTe₂ является прямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны E_g=1.32 эВ (300 K), в интервале 80/350 K E_g падает по линейному закону с температурным коэффициентом dE_g/dT~=-3.6·10^-4 эВ/K. Обнаружена фоточувствительность AgGaTe₂ в диапазоне 0.6/3 эВ. Анализ спектров фоточувствительности подтверждает выводы абсорбционных измерений. На полученных кристаллах также созданы фоточувствительные структуры: диоды Шоттки и электрохимические ячейки. Исследования полного и фотоактивного поглощения в линейно поляризованном свете позволили обнаружить линейный дихроизм и фотоплеохроизм, которые отвечают симметрии решетки халькопирита. Полученные результаты указывают на возможности применения монокристаллов AgGaTe₂ в поляризационной фотоэлектронике.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.