С помощью ЯГР спектроскопии, температурных зависимостей электропроводности ТОПЗ и токов ТСД исследованы дефектные полупроводники Ga₂S₃ и Ga₂Se₃, легированные железом сверх стехиометрии в концентрациях до 1 мол% (~10²⁰ см^-3). Установлено, что железо входит в кристаллическую решетку в виде Fe²⁺, а изменения концентрации носителей при этом не превышают 10⁶ см^-3. В запрещенной зоне легированных железом Ga₂S₃ и Ga₂Se₃ обнаружены ловушечные уровни с концентрацией ~10¹²-10¹³ см^-3. Полученные данные объясняются перезарядкой части атомов галлия в решетке (Ga³⁺->Ga⁺).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.