"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изучение локальных центров в p-GaAs, легированном медью, методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции
Быковский В.Ю., Вовненко В.И., Дмитрук Н.Л.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.