"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Теория фотогальванических эффектов в кристаллах без центра инверсии простой зоны. Гармоническое приближение
Расулов Р.Я.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Рассмотрен новый механизм возникновения фотогальванического эффекта (ФГЭ) в кристаллах без центра инверсии, обусловленный асимметричным рассеянием фотовозбужденных электронов на примесях или на фононах в гармоническом приближении. Указано, что в этом случае возникает дополнительный, ранее не рассмотренный вклад в ток циркулярного ФГЭ в гиротропных средах. Этот вклад появляется при выполнении закона сохранения энергии не только между конечным и начальным состояниями, но и для двух произвольных промежуточных состояний. Показано, что баллистический линейный ФГЭ в этом случае может возникать при участии двух отдельных фононов или при последовательном двухкратном рассеянии электронов на примесях, тогда как для возникновения сдвигового (линейного) ФГЭ достаточно учитывать лишь однофононные или однократное рассеяния на примесях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.