"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии II. Теория миграции, сравнение с экспериментом
Фистуль В.И., Шмугуров В.А.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Представлены результаты теоретического расчета энергии миграции межузельных примесей переходных металлов в кремнии. Установлены общие закономерности в изменении энергетического барьера миграции от степени заполнения d-оболочки, качественно согласующиеся с изменением ряда физико-химических свойств d-элементов в зависимости от суммарного количества электронов на внешних оболочках и поведением d-примесей в полупроводниках. Хорошее качественное, а в ряде случаев и количественное согласие теоретических и экспериментальных энергетических барьеров миграции подтверждает пригодность разработанной теоретической модели межузельной миграции к прогнозированию поведения d-примесей в кремнии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.