"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние эффективного параметра рассеяния на массу плотности состояний и подвижность в твердых растворах на основе халькогенидов висмута и сурьмы
Кутасов В.А., Лукьянова Л.Н.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Определены температурные зависимости эффективной массы плотности состояний m/m0 и подвижности mu0 в твердых растворах на основе Bi2Te3 с соединениями Bi2Se3, Sb2Se3, Bi2S3, In2Те3 в соответствии с многодолинной моделью зонной структуры. Величины m/m0 и mu0 получены на основании экспериментальных данных по температурным зависимостям гальваномагнитных коэффициентов, измеренных в слабых магнитных полях (компонентов тензоров эффекта Холла rhoijk и магнитосопротивления rhoijkl) совместно с электропроводностью sigma и коэффициентом термоэдс alpha. При расчете холловской концентрации носителей n учитывался эффективный параметр рассеяния rэ, вычисленный из данных по термоэдс alpha и параметру вырождения beta. Учет эффективного параметра рассеяния rэ позволяет получить близкие значения для концентраций носителей заряда, определенных в сильном магнитном поле и с учетом rэ в слабом магнитном поле, в отличие от данных, полученных для акустического механизма рассеяния при r=-0.5. Установлены концентрационные зависимости m/m0 и mu0 для различных составов исследованных твердых растворов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.