Путем монте-карловского машинного моделирования движения электронов в приповерхностных обогащенных слоях, поле в которых находилось самосогласованно (с помощью метода макрочастиц), найдена полевая зависимость дрейфовой скорости электронов (вдоль поверхности), а также рассчитаны координатные зависимости полной концентрации электронов и не совпадающие с ними зависимости концентрации Gamma- и L-электронов в GaAs. Существенно нетемпературный характер распределения электронов по энергии в сочетании с учетом влияния поперечного поля обогащенного слоя приводит к заметному превышению дрейфовой скорости в обогащенном слое по сравнению со случаем однородного полупроводника (в области пиковых значении и на падающей ветви). Это превышение связано с более замедленным переходом под влиянием разогрева электронов из Gamma-долины в L-долину.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.