Проведен анализ зависимости величины эффекта радиационно-стимулированного увеличения времени жизни неосновных носителей тока tau в полупроводнике при малых дозах облучения Phi от концентрации исходных и введенных облучением центров рекомбинации и температуры измерения с учетом пространственной локализации эффекта вблизи границ раздела. Для этого зависимость tau от Phi представленa в виде (1)/(tau)=(1)/(tau₀)+k_tauPhi-A(Phi,tau₀), где k_tau - коэффициент радиационной деградации времени жизни, определяемый для области больших доз, а A - величина, описывающая эффект упорядочения. Эксперимент, проведенный на структурах Au-GaAs, облучаемых электронами с энергией ~2 МэВ или gamma-квантами ⁶⁰Co, подтверждает модель радиационно-стимулированного геттерирования исходных и введенных облучением центров рекомбинации границами раздела.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.