Фотостимулированная трансформация внутризонных состояний халькогенидных стеклообразных полупроводников
Микла В.И., Мателешко А.В., Семак Д.Г., Левкулич А.Р.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.
Исследованы разрядные характеристики аморфных слоев AsxSe100-x. Обнаружены существенные изменения начального потенциала зарядки, скорости темнового спада, величины остаточного потенциала в первом цикле и по достижении насыщения в результате предварительной засветки. Прослеживается корреляция релаксации фотоиндуцированных изменений оптических параметров и электрофотографических характеристик. Наблюдаемые изменения связываются с фотостимулированными превращениями глубоких центров, проявляющихся в усилении термической генерации носителей либо в росте эффективности захвата в зависимости от конкретных условий эксперимента.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.