На основе подхода, развитого Б.И. Шкловским с сотрудниками (ФТП. 1988. Т. 22. В. 1. С. 642-653) для вычисления поперечной проводимости тонких аморфных пленок, построена теория многоступенчатого туннелирования через запрещенную зону полупроводников с непрерывным спектром локализованных состояний (ЛС) при низких температурах. Показано, что независимо от размерности полупроводника, вида закона дисперсии и спектра ЛС скорость генерации G носителей заряда в истощенных слоях зависит от напряженности поля E по закону G(E)~exp(-2sqrt(2varepsilon_g/qEa₀)sqrt, где f_G - логарифмически слабая функция E, ширины запрещенной зоны varepsilon_g, радиуса локализации электрона a₀ и плотности ЛС.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.