Вышедшие номера
Диффузионная рекомбинация в аморфном полупроводнике
Юшка Г., Томашюнас Р., Юконис Г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1988 г.

На основе анализа кинетики тока, возбужденного коротким импульсом сильнопоглощаемого света большой интенсивности, получены закономерности, обусловленные диффузионным механизмом рекомбинации: 1) в случае продольного фототока, ограниченного пространственным зарядом, диффузионная рекомбинация уменьшает величину стартующего заряда в ~2.5 раза; 2) в этом же случае начальное время релаксации тока в 3 раза превышает время пролета малым зарядом глубины поглощения; 3) в случае поперечного фототока собранный на электродах заряд пропорционален квадрату логарифма количества возбужденных пар. Данные аналитического расчета экспериментально подтверждены на примере аморфного селена.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.