Показано, что имплантация ионов галлия и мышьяка в нелегированные полуизолирующие кристаллы арсенида галлия приводит к уменьшению абсолютного значения слоевого коэффициента Холла R_HS, а постимплантационный отжиг под пленкой двуокиси алюминия в интервале температур 400/650^oС - к его частичному или полному восстановлению. Установлено образование слоев p-типа с концентрацией дырок до 4·10¹⁷ см^-3 в кристаллах, имплантированных ионами галлия и отожженных при температурах T_отж>740^oС. Исходя из величины энергии активации проводимости в слоях, равной 0.22±0.01 эВ, сделано предположение о том, что дырочная проводимость обусловлена формированием в материале в условиях избытка галлия акцепторных центров Ga_As.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.