Методами МКЛ и ФЛ изучено влияние легирующей примеси и условий выращивания на люминесцентные характеристики и размеры переходных слоев в однослойных эпитаксиальных структурах арсенида галлия n- и p-типа. Показано, что толщина переходного слоя и характер распределения рекомбинационных центров около границы со стороны эпитаксиального слоя определяются диффузионной подвижностью собственных точечных дефектов в подложке, а также природой и уровнем легирования эпитаксиального слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.